自動車の電動化、サーバー用電源のキー部品としてパワーデバイスが注目されています。現状のSiデバイスより省エネ性に優れたSiCやGaNといった革新的なデバイスの実用化も急速に進んでいます。こうしたパワーデバイスの活用には、基礎物性からデバイス構造、実回路への組込みまでの総合的理解が必要です。
　本セミナーでは、半導体の基礎物性から説明を始め、Siパワーデバイスが持つ高耐圧、省エネ性をデバイス構造と基礎物性から明らかにします。さらに、新型デバイスSiCとGaNの高速スイッチング、高温体耐性、高耐圧低抵抗について、材料特性と基礎物性から定量的に説明します。総合的理解の最後に、実回路で使用するために必要なデバイスの選定と回路設計、デバイス損失と熱計算、駆動用のトリガー回路について解説します。限られた時間を有効活用するため、セミナーでは重要項目には演習問題を加え、理解が深まるよう構成されています。

1. パワーデバイスの最新動向
   1. 自動車の電動化を支えるパワーデバイス
   2. 鉄道から自動車への展開が進むSiCデバイス
   3. サーバー用パワーデバイスとして脚光を浴びるGaNデバイス
   4. NEDOプロジェクト SiC、環境省プロジェクト GaN
2. パワーデバイスの物性
   1. エネルギー準位とバンドギャップ 【演習】
   2. 真正半導体、p型、n型半導体
   3. キャリア密度 【演習】
   4. 移動度、比抵抗
3. パワーデバイスの構造と特性
   1. ダイオードと高耐圧化
   2. MOSFETの動作特性 【演習】
   3. 縦型MOSFET
   4. IGBTとパワートランジスタ
   5. IGBTの動作特性
4. 注目される新デバイSiCとGaN (ワイドギャップ半導体)
   1. ワイドギャップ半導体
   2. ワイドギャップ半導体の物性
      1. 高速スイッチング特性
      2. 高温での動作特性
      3. 高耐圧で低オン抵抗 【演習】
   3. Siデバイスとの比較
5. パワーデバイスを回路に組込み
   1. 回路に適したデバイス選定・設計
   2. デバイスの損失と放熱設計 【演習】
   3. トリガー回路