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半導体製造プロセスにおけるイオン注入とアニール技術

半導体製造プロセスにおけるイオン注入とアニール技術

~基礎から課題およびその対策まで~
オンライン 開催

概要

本セミナーでは、MOSトランジスタを用いたLSIの作製で重要な役割を果たす不純物のイオン注入と、その不純物を活性化させるためのアニール技術について、MOS ICの微細化との関連を中心として解説いたします。

開催日

  • 2022年7月22日(金) 13時00分17時00分

修得知識

  • MOS IC作成のためのイオン注入技術の詳細と課題
  • 微細化MOSトランジスタのイオン注入技術に対する要求
  • イオン注入により破壊された結晶を回復させるアニールの手法
  • アニールによる結晶回復の過程に関する知識

プログラム

 MOSトランジスタを用いたLSIの作製で重要な役割を果たす不純物のイオン注入と、その不純物を活性化させるためのアニール技術について、MOS ICの微細化との関連を中心として解説してゆく。イオン注入技術ではその原理と装置の構造、および、MIS ICの微細化に対応するイオン注入技術の課題とその対策を示す。アニール技術では、MOS ICの微細化に対応するアニールの手法、イオン注入によって導入されるSi結晶欠陥のアニールによる回復の過程を解説する。MOS IC以外のデバイス作製のためのイオン注入技術についても簡単に紹介する。

  1. イオン注入技術の歴史
  2. CMOS ICの微細化
    - MOSトランジスタの微細化とその構造変化に対応するイオン注入技術 –
  3. イオン注入技術
    1. イオン注入の原理と装置構造
    2. CMOS ICでのイオン注入の適用
    3. イオン注入に伴う問題と対策
      • イオンビーム精度
      • チャネリング
      • チャージアップ
      • ビームBrow up
      • 金属汚染
      • 注入損傷
    4. その他のイオン注入技術
      • CMOSイメージセンサー
      • パワーデバイス など
  4. アニール技術
    1. アニール手法
      • 電気炉アニール
      • 光アニール
    2. 注入不純物の活性化過程
    3. 結晶の回復と2次欠陥の生成、展開
    4. 光アニール技術の課題
  5. イオン注入に関連する解析技術
    1. 不純物濃度分布
    2. キャリアの濃度分布
    3. 結晶性解析
    4. 汚染解析
    • 質疑応答

主催

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受講料

1名様
: 45,000円 (税別) / 49,500円 (税込)
複数名
: 22,500円 (税別) / 24,750円 (税込) (案内をご希望の場合に限ります)

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    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 90,000円(税別) / 99,000円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 135,000円(税別) / 148,500円(税込)

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  • お申し込み前に、 視聴環境テストミーティングへの参加手順 をご確認いただき、 テストミーティング にて動作確認をお願いいたします。
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