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CMP技術の基礎

CMP技術の基礎

～装置、スラリー・研磨パッド等の消耗材料の技術、応用プロセスから研磨メカニズム～
東京都 開催 会場 開催
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概要

本セミナーでは、半導体デバイス製造における様々なCMP工程の特徴を紹介し、それに用いられる装置、スラリー、パッドの詳細を解説する。
さらに、CMPによる材料除去のメカニズムについて様々なモデルを紹介し、そこからパッドやスラリーのあるべき姿を考察する。

開催日

  • 2018年5月29日(火) 10時30分 ～ 16時30分

修得知識

  • 材料・プロセス評価技術
  • 装置・スラリー・パッド・コンディショナー等の要素技術
  • デバイス応用事例、様々な基板研磨技術
  • 半導体デバイス製造における様々なCMP工程の基礎と特徴
  • スラリーの基礎・評価
  • パッドの役割と材料除去メカニズム
  • SiC、GaN、シリコン、サファイア、LT/NT基板のCMPの現状と将来の方向性
  • 研磨精度・デバイス表面平坦度の向上とスラリー・パッド等部材の低コスト化の両立

プログラム

　CMPがデバイスの製造工程に用いられるようになって、すでに四半世紀が経過した。当初はゲテモノ扱いされていたCMPも今やなくてはならないキープロセスとなっている。半導体デバイス製造における様々なCMP工程の特徴を紹介し、それに用いられる装置、スラリー、パッドの詳細を解説する。さらに、CMPによる材料除去のメカニズムについて様々なモデルを紹介し、そこからパッドやスラリーのあるべき姿を考察する。

  1. CMP装置
    1. CMP装置の構成
    2. ヘッド構造
    3. 終点検出技術
    4. APC
  2. CMPによる平坦化
    1. CMPによる平坦化工程の分類
    2. 平坦化メカニズム
  3. CMP消耗材料
    1. 各種スラリーの基礎
    2. 砥粒の変遷
    3. 添加剤の役割
    4. スラリーの評価方法
    5. 研磨パッドの基礎
    6. 研磨パッドの評価方法
    7. コンディショナーの役割
  4. CMPの応用
    1. CuCMPの詳細
    2. 最新のトランジスタCMP工程
    3. 各種基板CMP
    4. CMPのプロセス評価方法
  5. CMPの材料除去メカニズム
    1. 研磨メカニズムモデルの歴史
    2. 新しいモデル～Feret径モデル
    3. Feret径モデルの数値検証
    4. Feret径モデルに基づく開発のヒント
    5. パッド表面状態のマクロモデルによるドレス効果の表現
  6. まとめ
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講師

  • 礒部 晶 氏
    株式会社 ISTL
    代表取締役
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会場

大田区産業プラザ PiO

1F A+B会議室

東京都 大田区 南蒲田1-20-20
大田区産業プラザ PiOの地図
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主催

サイエンス＆テクノロジー 株式会社
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お問い合わせ

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受講料

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: 42,750円 (税別) / 46,170円 (税込)
複数名
: 22,500円 (税別) / 24,300円 (税込)

複数名同時受講の割引特典について

  • 2名様以上でお申込みの場合、
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  • 同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
  • 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
  • 請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
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