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不揮発性メモリの基本原理と使い方、最新技術動向
超低消費電力システムを実現する
不揮発性メモリの基本原理と使い方、最新技術動向
東京都 開催
会場 開催
本セミナーは終了いたしました。
概要
本セミナーでは、不揮発性メモリの基本原理と使い方、最新技術動向について詳解いたします。
開催日
- 2015年7月21日(火) 12時30分 ～ 16時00分
修得知識
- メインストリームのFlashメモリ
- 次世代技術のMRAM、ReRAM、PRAM等の原理と技術課題
- 今後の開発動向に関する知識
プログラム
- 不揮発性メモリの分類 (応用の観点から)
- 大容量メモリ
- 混載メモリ
- 新しい応用展開
- 不揮発性メモリデバイスの原理と課題
- 不揮発性メモリの材料・構造設計
- 入門:新規不揮発性メモリ
- MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory)
- ReRAM (Resistance Random Access Memory)
- PCAM (Phase Change Random Access Memory)
- 不揮発性メモリ技術の技術動向
- フラッシュメモリ (三次元集積)
- MRAM (特性改善とスケーラビリティ)
- ReRAM
- メモリエレメントと三次元集積
- セレクタデバイスの開発
- PRAM
- 今後の課題
- 質疑応答
講師
会場
主催
お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。
受講料
1名様
:
45,000円 (税別) / 48,600円 (税込)
複数名
:
40,000円 (税別) / 43,200円 (税込)
複数名同時受講割引について
- 2名様以上でお申込みの場合、
1名あたり 40,000円(税別) / 43,200円(税込) で受講いただけます。- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 45,000円(税別) / 48,600円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 80,000円(税別) / 86,400円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 120,000円(税別) / 129,600円(税込)
- 同一法人内による複数名同時申込みのみ適用いたします。
- 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
- 他の割引は併用できません。
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