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不揮発性メモリの基本原理と使い方、最新技術動向

超低消費電力システムを実現する

不揮発性メモリの基本原理と使い方、最新技術動向

東京都 開催 会場 開催
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概要

本セミナーでは、不揮発性メモリの基本原理と使い方、最新技術動向について詳解いたします。

開催日

  • 2015年7月21日(火) 12時30分 ～ 16時00分

修得知識

  • メインストリームのFlashメモリ
  • 次世代技術のMRAM、ReRAM、PRAM等の原理と技術課題
  • 今後の開発動向に関する知識

プログラム

  1. 不揮発性メモリの分類 (応用の観点から)
    1. 大容量メモリ
    2. 混載メモリ
    3. 新しい応用展開
  2. 不揮発性メモリデバイスの原理と課題
    1. 不揮発性メモリの材料・構造設計
    2. 入門:新規不揮発性メモリ
    3. MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory)
    4. ReRAM (Resistance Random Access Memory)
    5. PCAM (Phase Change Random Access Memory)
  3. 不揮発性メモリ技術の技術動向
    1. フラッシュメモリ (三次元集積)
    2. MRAM (特性改善とスケーラビリティ)
    3. ReRAM
      1. メモリエレメントと三次元集積
      2. セレクタデバイスの開発
    4. PRAM
  4. 今後の課題
    • 質疑応答
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講師

  • 茂庭 昌弘 氏
    東京工科大学 工学部 電気電子工学科
    教授
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会場

株式会社 技術情報協会
東京都 品川区 西五反田2-29-5 日幸五反田ビル8F
株式会社 技術情報協会の地図
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主催

株式会社 技術情報協会
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お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 45,000円 (税別) / 48,600円 (税込)
複数名
: 40,000円 (税別) / 43,200円 (税込)

複数名同時受講割引について

  • 2名様以上でお申込みの場合、
    1名あたり 40,000円(税別) / 43,200円(税込) で受講いただけます。
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 45,000円(税別) / 48,600円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 80,000円(税別) / 86,400円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 120,000円(税別) / 129,600円(税込)
  • 同一法人内による複数名同時申込みのみ適用いたします。
  • 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
  • 他の割引は併用できません。
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