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2nm以降半導体向け配線技術の最新動向と材料、プロセスへの要求特性

2nm以降半導体向け配線技術の最新動向と材料、プロセスへの要求特性

～Cu配線の延命なのか、代替配線材料に置き換わるのか? 先端半導体における配線材料、プロセスの方向性を探る～
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    • 概要

    本セミナーでは、Cu/Low-k配線の基礎と、2nm世代以降で顕在化する抵抗増大・信頼性劣化の限界要因を整理したうえで、Ru/AG (Airgap) 配線や裏面電源配線 (BSPDN) など次世代配線技術の最新動向をわかりやすく解説いたします。

    配信期間

    • 2026年10月2日(金) 12時30分 ～ 2026年10月12日(月) 16時30分

    お申し込みの締切日

    • 2026年10月2日(金) 12時30分

    修得知識

    • 半導体集積回路に使われる配線の構造
    • 半導体集積回路の製造プロセス
    • 半導体集積回路に要求される特性・性能、信頼性
    • 半導体集積回路の評価方法
    • 半導体集積回路の先端の研究動向、開発の要点

    プログラム

    　近年、生成AIをはじめとする高度な情報処理技術が急速に発展し、その計算基盤を担う先端半導体への期待と重要性はこれまでになく高まっている。とりわけ、演算性能向上の鍵を握る微細配線技術では、さらなる集積度向上が不可欠である一方、2nm世代以降では従来主流であったCu/Low-k配線の抵抗増大や信頼性劣化など、物理的限界が顕在化しつつある。この課題を克服するため、RuやCoといった新材料、Airgap構造、さらには裏面配線 (Backside Power Delivery Network) など、革新的な材料・構造・プロセスの研究開発が世界的に加速している。
    　本セミナーでは、まず集積回路配線に求められる性能と信頼性の概要、Cu/Low-k配線技術の基礎と現状の課題を整理したうえで、2nm世代以降を見据えた次世代配線技術の最新動向をわかりやすく解説する。

    1. 集積回路配線の基礎知識
      1. 配線の微細化と3D化が求められる背景
      2. 配線の役割と性能指標
        1. 配線の役割
        2. 階層化された多層配線構造
        3. 配線の性能指標
        4. 各配線層の役割に応じた要求性能
      3. 配線信頼性の基礎知識
        1. 微細化に伴う配線信頼性の重要性
        2. デバイスの故障と信頼性予測の手順
        3. エレクトロマイグレーション (EM)
        4. ストレス誘起ボイド (SIV)
        5. 経時絶縁破壊 (TDDB)
        6. 耐湿信頼性
      4. Cu/Low-k配線プロセス
        1. Cu/Low-kダマシンプロセスと課題
        2. Low-k絶縁膜と課題
        3. ダマシン法に用いる要素プロセス
          • バリア・ライナ
          • めっき
          • リフロー
          • CMP
    2. 2nm以降半導体に向けた配線の材料・構造・プロセス
      1. 2nm以降半導体に向けた配線の課題
        1. 新材料への切り替え時期予測とロードマップ
        2. 2nm以降の微細パターンの形成方法 (Self-Aligned Double Patterning)
      2. Cu配線の延命
        1. Advanced Low-k (ALK) 膜 (高プラズマ耐性Low-k膜)
        2. バリア/ライナーの薄膜化とCu埋め込み法の改善
        3. グラフェンキャップによる改善
        4. ビア抵抗低減のための新構造とプロセス
      3. Cu代替配線材料
        1. 代替配線材料の選択基準
        2. 代替配線材料をしぼり込む流れ (どういう評価が必要か)
        3. ルテニウム/エアギャップ配線 (Ru/AG) とその最新動向
        4. モリブデン
        5. グラフェン
        6. その他の代替配線材料
      4. 2nm以降の配線信頼性
        1. Cu/ALK配線の信頼性
        2. Ru/AG配線のEM信頼性とジュール発熱
        3. Ru/AG配線のTDDB信頼性
      5. 新構造とプロセス
        1. 配線とビアのセルフアライン接続構造とプロセス
        2. 裏面電源配線 (Backside Power Delivery Network) とその課題
        3. チップレット・3D化
        4. ハイブリッドボンディングとその最新動向
      • 質疑応答
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    講師

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    主催

    株式会社 技術情報協会
    お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

    お問い合わせ

    本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
    (主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

    受講料

    1名様
    : 45,000円 (税別) / 49,500円 (税込)
    複数名
    : 40,000円 (税別) / 44,000円 (税込)

    複数名同時受講割引について

    • 2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 40,000円(税別) / 44,000円(税込) で受講いただけます。
    • 5名様以降は、1名あたり 30,000円(税別) / 33,000円(税込) で受講いただけます。
      • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
      • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 80,000円(税別) / 88,000円(税込)
      • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 120,000円(税別) / 132,000円(税込)
      • 4名様でお申し込みの場合 : 4名で 160,000円(税別) / 176,000円(税込)
      • 5名様でお申し込みの場合 : 5名で 190,000円(税別) / 209,000円(税込)
    • 同一法人内による複数名同時申込みのみ適用いたします。
    • 請求書は、代表者にご送付いたします。
    • 他の割引は併用できません。

    アカデミック割引

    • 1名様あたり 30,000円(税別) / 33,000円(税込)

    日本国内に所在しており、以下に該当する方は、アカデミック割引が適用いただけます。

    • 学校教育法にて規定された国、地方公共団体、および学校法人格を有する大学、大学院、短期大学、附属病院、高等専門学校および各種学校の教員、生徒
    • 病院などの医療機関・医療関連機関に勤務する医療従事者
    • 文部科学省、経済産業省が設置した独立行政法人に勤務する研究者。理化学研究所、産業技術総合研究所など
    • 公設試験研究機関。地方公共団体に置かれる試験所、研究センター、技術センターなどの機関で、試験研究および企業支援に関する業務に従事する方
    • 支払名義が企業の場合は対象外とさせていただきます。
    • 企業に属し、大学、公的機関に派遣または出向されている方は対象外とさせていただきます。

    アーカイブ配信セミナー

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    • 配信開始となりましたら、改めてメールでご案内いたします。
    • 視聴サイトにログインしていただき、ご視聴いただきます。
    • 視聴期間は2026年10月2日〜12日を予定しております。
      ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。
    • セミナー資料は別途、送付いたします。
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