技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
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酸化物半導体は、IGZOの実用化をはじめ、低温形成・高移動度・透明性・低リーク電流といった特長から、モノリシック3D集積化や三次元DRAM・NANDなど、三次元集積デバイス応用へ注目が集まっており、研究開発が急速に進展しています。
本セミナーでは、酸化物半導体の材料物性・プロセス技術・デバイス特性の基礎を整理しながら、三次元集積デバイス応用に向けた最新の開発動向を解説いたします。
IGZOをはじめとする酸化物半導体は、低温形成可能、高移動度、透明、低リーク電流といった優れた特性を有し、ディスプレイ分野で量産技術として成功を収めた。現在、酸化物半導体の集積デバイス技術への応用への期待が高まってきている。特に、プロセッサとメモリアレイを同一チップに集積化するモノリシック3D集積化や、DRAMまたはNAND向けの三次元構造メモリへの応用が期待されおり、半導体メーカーでの研究開発も活発化している。
このような状況をふまえて本講演では酸化物半導体の基礎を解説するとともに、最近の三次元デバイス応用に向けた研究開発動向を解説する。
教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。
開始日時 | 会場 | 開催方法 | |
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2025/9/18 | 半導体封止材用エポキシ樹脂・硬化剤・硬化促進剤の種類と特徴および新技術 | オンライン | |
2025/9/22 | GaNパワーデバイスの特性と横型・縦型デバイスの開発状況・応用展開 | オンライン | |
2025/9/24 | 最新CMP技術 徹底解説 | オンライン | |
2025/9/25 | 最新CMP技術 徹底解説 | オンライン | |
2025/9/26 | 先進半導体パッケージの技術動向と三次元集積化プロセス開発の道程 | オンライン |
発行年月 | |
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2018/1/10 | SiC/GaNパワーエレクトロニクス普及のポイント |
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2013/12/15 | パワー半導体 技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版) |
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