第1部 EUVレジスト材料の要求特性と高感度化技術

(2025年3月6日 10:30〜12:00)

　フォトレジスト材料の開発は、G線、i線、KrFおよびArFエキシマーレーザーと、露光システムの変遷により、そのレジスト材料の骨格を変化させ、露光システムに対応したレジスト材料が開発されてきた。2017年より極端紫外線 (EUV) 露光システムが実用化されている。しかしながら、EUV露光システムの能力を十分に引き出せるレジスト材料の開発が必要とされ続けている。
　本テーマでは、これまで開発されてきたレジスト材料の基本的な構造を紹介しながら、レジスト材料の合成方法について、基本的な合成方法から最新の合成例について解説する。さらに、分子レジストや化学増幅型レジストの原理や合成方法について解説し、EUV用レジスト材料の研究開発例を紹介し、それらの問題点、および今後の分子設計方法について解説する。

1. EUV用レジストシステム
   1. ムーアの法則とEUV用レジストシステム
   2. EUVレジストシステムの開発の動向
   3. EUV用レジスト材料の開発の必要性について
   4. EUV用レジスト材料に求められる特性
2. EUV用レジスト材料
   1. ポジ型EUV用レジスト材料 (化学増幅型EUV用レジスト材料)
   2. ネガ型EUV用レジスト材料 (非化学増幅型EUV用レジスト材料)
   3. メタルEUV用レジスト材料
3. EUV用レジスト材料の開発例
   1. 高感度型EUVレジスト材料
   2. EUV用レジスト材料の今後の課題
• 質疑応答

第2部 EUVレジストの現像特性評価と化学解析

(2025年3月6日 13:00〜14:30)

　EUVレジストは従来の紫外線領域までのレジストと違い、ショットノイズや2次電子の影響などEUV特有の特徴がある。そのため、紫外線や電子線による代替測定だけでなく、実際のEUV照射による感度測定が必要である。
　本講座では感度測定手法と、それによって何がわかるのかを解説する。また、EUVレジストは50nm程度以下の薄膜での使用が基本となっており、EUV照射後に回収できるサンプルが少なく、溶液分析が困難である。固体状態での分析方法として、EUV照射時のアウトガス分析や、X線による吸収分光分析手法があり、それらも解説する。

1. 分析におけるEUVレジストの特徴
   1. EUVと2次電子
   2. EUVレジストと膜厚
2. EUVレジストの現像特性評価
   1. ポジ型レジスト
   2. ネガ型レジスト
   3. コントラストカーブからわかること
   4. EUV干渉露光
3. EUVレジストの化学解析
   1. EUV照射前後の分析
      1. アウトガス分析
      2. X線吸収分光分析
   2. EUVレジストの化学組成分布評価
• 質疑応答

第3部 メタルレジストの特徴とEUV露光による反応メカニズム

(2025年3月6日 14:45〜16:15)

　レジストの歴史歴背景、メタルレジストの重要性、メタルレジストの作製方法およびメタルレジストのEUVによる反応機構、メタルレジストの大気安定性を紹介する。メタルレジストの反応機構を明らかにする分析手法に関しても紹介する

1. レジスト
   1. レジストの歴史
   2. レジストの歴史的背景
   3. リソグラフィのスケーリング則
   4. ムアーの法則以降のデバイス構造
   5. メタルレジストの重要性
2. メタルレジスト
   1. EUV光吸収率の元素依存性
   2. メタルレジストの種類
   3. メタルレジストの作製方法
   4. メタルレジストの構造
   5. メタルレジストのEUV露光後の構造
   6. 各社が開発したメタルレジスト
3. メタルレジストEUV露光による反応機構及び大気安定性の解析
   1. XRDによるEUV露光による構造変化解明
   2. 光電子分光によるEUV露光による反応元素解明
   3. 放射光X線吸収分光法を用いてEUV露光による反応化学結合解明
   4. メタルレジストの大気安定性解析
• 質疑応答