技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
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本セミナーでは、半導体物性及びデバイス特性と、パワーエレクトロニクス回路との特性を「つなぐ」考え方を学びます。パワーデバイスの特性を理解しサクサクとパワエレ回路を設計したい…多くの回路設計者がそう思うにもかかわらず、パワーデバイスの基礎である半導体物理はとても難解です。また、デバイス特性では、多くの数式が羅列されており、どの式が設計に役立つかを見極めるのが困難です。そこで、本講座では、以下の3つのステップで、パワーデバイスを理解します。 1難解な半導体物性をわかりやすい図と数値例で示し、半導体物性がパワーデバイスの特性にどう反映されるかを実際の動作波形を使って説明します。
実用的な観点から、パワーエレクトロニクス回路で多用されているパダイオード、IGBT、MOSFET、ワイドバンド半導体 (GaN、SiC) の4つのデバイスについて詳しく説明します。とくにパワーデバイスで重要な以下の項目に着目します。
さらに、デバイスを使いこなすという観点から、動作時のデバイス温度見積り、トラブル事例や回避策についても紹介します。
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発行年月 | |
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2013/9/27 | リチウムイオン2次電池の革新技術と次世代2次電池の最新技術 |
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