2020年現在、世界各国は自動車の電動化 (xEV) 開発に向け大きく進展している。そして2030年代には日、米、欧、中がガソリン車の新車販売を禁止するなど、xEVは、もはや大きな潮流となった感がある。xEVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。
　しかしながら現状では、シリコンIGBTがxEV用途の主役に君臨しており、今後しばらくはシリコンIGBTの時代が続くともいわれている。これはとりもなおさず、SiC/GaNデバイスの性能、信頼性、さらには価格が市場の要求に十分応えられていないことによる。最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC/GaN開発技術の現状と今後の動向について、半導体素子や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。

1. パワーエレクトロニクス (パワエレ) とはなに?
   1. パワエレ&パワーデバイスの仕事
   2. パワー半導体の種類と基本構造
   3. パワーデバイスの適用分野
   4. パワーデバイスのお客様は何を望んでいるのか?
   5. シリコンMOSFET・IGBTの伸長
   6. パワーデバイス開発のポイント
2. 最新シリコンパワーデバイス (Si-IGBT) の進展と課題
   1. パワーデバイス市場の現在と将来
   2. IGBT開発のポイント
   3. IGBT特性改善を支える技術
   4. 薄ウェハ化の限界
   5. IGBT特性改善の次の一手
   6. 新型IGBTとして期待されるRC-IGBTとはなに?
   7. シリコンIGBTの実装技術
3. SiCパワーデバイスの現状と課題
   1. 半導体デバイス材料の変遷
   2. ワイドバンドギャップ半導体とは?
   3. なぜSiCパワーデバイスなのか
   4. 各社はSiC-IGBTではなくSiC-MOSFETを開発する。なぜか?
   5. SiCウェハができるまで
   6. SiC-SBDそしてSiC-MOSFET開発へ
   7. SiC-MOSFETの普及拡大のために解決すべき課題
   8. SiC-MOSFET最近のトピックス
   9. SiCのデバイスプロセス (Siパワーデバイスと何が違うのか)
   10. SiCデバイス信頼性向上のポイント
   11. SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは?
   12. ショットキーバリアダイオード (SBD) 内蔵SiC-MOSFET
4. GaNパワーデバイスの現状と課題
   1. なぜGaNパワーデバイスなのか?
   2. GaNデバイスの構造
   3. SiCとGaNデバイスの狙う市場
   4. GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は?
   5. ノーマリーオフ・ノーマリーオン特性とはなに?
   6. GaN-HEMTのノーマリーオフ化
   7. GaN-HEMTの課題
   8. GaNパワーデバイスの弱点はなにか
   9. 縦型GaNデバイスの最新動向
   10. 縦型SiCデバイス 対 縦型GaNデバイス。勝ち筋はどちらに?
5. SiCパワーデバイス高温対応実装技術
   1. 高温動作ができると何がいいのか
   2. SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
   3. パワーモジュール動作中の素子破壊例
   4. SiCモジュールに必要な実装技術
6. まとめ
• 質疑応答