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5G・次世代自動車に対応するSiC/GaNパワーデバイスの技術動向と課題

5G・次世代自動車に対応するSiC/GaNパワーデバイスの技術動向と課題

オンライン 開催

概要

本セミナーでは、パワーデバイス技術の基礎・周辺材料技術と、SiCパワーデバイスの実際・最新動向について詳解いたします。

開催日

  • 2020年6月8日(月) 10時30分 16時30分

受講対象者

  • SiC半導体、パワーデバイスに関連する技術者、開発者、販売担当者
    • 電気・エネルギー関連
    • 電力変換回路
    • 自動車
    • ハイブリッド車
    • 電気自動車
    • 電車
    • PC
    • 家電
    • エレベータ
    • インバーター
    • 無停電電源装置 など

修得知識

  • SiCパワーデバイスの特長と課題
  • 過去30年のパワーデバイス開発の流れ
  • パワーデバイス全体の最新技術動向
  • SiCデバイス実装技術
  • SiCデバイス特有の設計、プロセス技術

プログラム

 本講座では、SiC/GaNパワーデバイスを広く市場に普及するためのポイントは何かを主題に解説する。近年、世界各国で自動車電動化開発が大きく進展している。世界最大の自動車市場である中国をはじめヨーロッパはハイブリッド車を飛び越えてEV, PHV (プラグインハイブリッド車) シフトへ舵を切った。日本、アメリカを巻き込んで世界全体でEVやPHV開発がいよいよ本格化し始めた。EV, PHVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料パワーデバイスの普及が大いに期待されている。しかしながら現状では、性能、信頼性、さらには価格の面で市場の要求に十分応えられているとは言えない。
 本セミナーでは、SiC/GaNパワーデバイスの今後の開発の方向性は何かについて、強力なライバルであるシリコンデバイスの最新動向を見据えながら、わかりやすく解説したい。

  1. パワーエレクトロニクスとは?
    1. パワエレ&パワーデバイスの仕事
    2. パワーデバイスの種類と基本構造
    3. パワーデバイスの適用分野
    4. 高周波動作のメリットは
    5. パワーデバイス開発のポイントは何か
  2. 最新シリコンパワーデバイスの進展と課題
    1. MOSFET・IGBT開発のポイント
    2. 特性向上への挑戦
    3. MOSFET・IGBT特性改善を支える技術
    4. 最新のMOSFET・IGBT技術:まだまだ特性改善が進むシリコンデバイス
    5. 新構造IGBT:逆導通IGBT (RC-IGBT) の開発
  3. SiC パワーデバイスの現状と課題
    1. ワイドバンドギャップ半導体とは?
    2. SiCのSiに対する利点
    3. SiC-MOSFETプロセス
    4. SiCデバイス普及拡大のポイント
    5. SiC-MOSFET特性改善・信頼性向上のポイント
    6. 最新SiC-MOSFET技術
  4. GaNパワーデバイスの現状と課題
    1. GaNデバイス構造は”横型GaN on Si”が主流。なぜGaN on GaNではないのか?
    2. GaN-HEMTの特徴と課題
    3. GaN-HEMTのノーマリーオフ化
    4. GaNパワーデバイスの強み、そして弱みはなにか
    5. 縦型GaNデバイスの最新動向
  5. 高温対応実装技術
    1. 高温動作ができると何がいいのか
    2. SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
    3. ますます重要度を増す

講師

  • 岩室 憲幸
    筑波大学 数理物質系 電子・物理工学専攻
    教授

主催

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お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 45,000円 (税別) / 49,500円 (税込)

案内割引について

シーエムシーリサーチからの案内をご希望の方は、割引特典を受けられます。

  • Eメール案内を希望する方 : 1名で 36,000円(税別) / 39,600円(税込)
  • Eメール案内を希望しない方 : 1名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)

アカデミック割引

  • 1名様あたり 24,000円(税別) / 26,400円(税込)

学校教育法にて規定された国、地方公共団体、および学校法人格を有する大学、大学院の教員、学生に限ります。

本セミナーは終了いたしました。

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