技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
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(10:30~12:10)
縦型GaNデバイスの耐圧維持構造およびエピ成長技術に関して名古屋大学における取組に関して報告する。
MOSFETの導通損失低減のためには、GaNエピ膜の高耐圧化が必要であるが、イオン注入された不純物の活性化が困難なGaNにおいて、プロセスダメージを軽減しつつ、デバイス構造を最適化する必要がある。本研究室では深堀メサ構造を有するGaN-PNDを設計し、非破壊降伏を達成したのでその要素技術に関して報告する。
また、m面GaN縦型デバイスに関しても、電気特性の面方位依存性を報告する。
(13:00〜14:40)
最近のGaN単結晶基板上のMOS特性の開発状況について説明する。
(14:50〜16:30)
近年求められる省エネには、インバーターやコンバータといった電力変換回路の高効率化が非常に重要である。
本講演では、NEDO戦略的省エネルギー技術革新プログラムにおける「GaN (窒化ガリウム) 双方向電力変換器の研究開発」中での取り組みである、GaN on Siデバイスの高耐圧化技術の開発を中心に紹介する。
開始日時 | 会場 | 開催方法 | |
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発行年月 | |
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