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CMP技術の基礎
CMP技術の基礎
～装置、スラリー・研磨パッド等の消耗材料の技術、応用プロセスから研磨メカニズム～
東京都 開催
会場 開催
本セミナーは終了いたしました。
概要
本セミナーでは、半導体デバイス製造における様々なCMP工程の特徴を紹介し、それに用いられる装置、スラリー、パッドの詳細を解説する。
さらに、CMPによる材料除去のメカニズムについて様々なモデルを紹介し、そこからパッドやスラリーのあるべき姿を考察する。
開催日
- 2018年5月29日(火) 10時30分 ～ 16時30分
修得知識
- 材料・プロセス評価技術
- 装置・スラリー・パッド・コンディショナー等の要素技術
- デバイス応用事例、様々な基板研磨技術
- 半導体デバイス製造における様々なCMP工程の基礎と特徴
- スラリーの基礎・評価
- パッドの役割と材料除去メカニズム
- SiC、GaN、シリコン、サファイア、LT/NT基板のCMPの現状と将来の方向性
- 研磨精度・デバイス表面平坦度の向上とスラリー・パッド等部材の低コスト化の両立
プログラム
CMPがデバイスの製造工程に用いられるようになって、すでに四半世紀が経過した。当初はゲテモノ扱いされていたCMPも今やなくてはならないキープロセスとなっている。半導体デバイス製造における様々なCMP工程の特徴を紹介し、それに用いられる装置、スラリー、パッドの詳細を解説する。さらに、CMPによる材料除去のメカニズムについて様々なモデルを紹介し、そこからパッドやスラリーのあるべき姿を考察する。
- CMP装置
- CMP装置の構成
- ヘッド構造
- 終点検出技術
- APC
- CMPによる平坦化
- CMPによる平坦化工程の分類
- 平坦化メカニズム
- CMP消耗材料
- 各種スラリーの基礎
- 砥粒の変遷
- 添加剤の役割
- スラリーの評価方法
- 研磨パッドの基礎
- 研磨パッドの評価方法
- コンディショナーの役割
- CMPの応用
- CuCMPの詳細
- 最新のトランジスタCMP工程
- 各種基板CMP
- CMPのプロセス評価方法
- CMPの材料除去メカニズム
- 研磨メカニズムモデルの歴史
- 新しいモデル～Feret径モデル
- Feret径モデルの数値検証
- Feret径モデルに基づく開発のヒント
- パッド表面状態のマクロモデルによるドレス効果の表現
- まとめ
講師
会場
主催
お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。
受講料
1名様
:
42,750円 (税別) / 46,170円 (税込)
複数名
:
22,500円 (税別) / 24,300円 (税込)
複数名同時受講の割引特典について
- 2名様以上でお申込みの場合、
1名あたり 22,500円(税別) / 24,300円(税込) で受講いただけます。- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 42,750円(税別) / 46,170円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 45,000円(税別) / 48,600円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 67,500円(税別) / 72,900円(税込)
- 同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
- 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
- 請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。 - 他の割引は併用できません。
本セミナーは終了いたしました。
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