第1部 酸化ガリウムパワーデバイスの基礎と開発動向および実用化展望

(2018年4月24日 11:00〜15:00)

　酸化ガリウム (Ga2O3) は、次世代パワーデバイス用途の新半導体材料として期待されるに足る、優れた材料物性を有します。また、原理的に大口径かつ高品質な単結晶基板を、融液成長法により安価かつ簡便に作製することができるという、産業上の大きな魅力も合わせ持ちます。こういった特徴から、SiC, GaNに続く次世代パワーデバイス材料候補として現在注目を集めております。
　本講演では、Ga2O3パワーデバイスの位置づけ・魅力、現在までのバルク・基板、エピタキシャル薄膜成長、デバイス (トランジスタ、ショットキーバリアダイオード) の研究開発状況、今後に向けた課題および展望などについて、講師グループおよび講師共同研究グループの開発成果を中心に解説いたします。

1. はじめに
   1. Ga2O3の材料的特徴 (SiC, GaNとの比較から)
   2. 将来的なGa2O3デバイスの用途
2. Ga2O3バルク融液成長技術、ウェハー製造
   1. 単結晶バルク融液成長
   2. 単結晶Ga2O3ウェハー
3. Ga2O3エピタキシャル薄膜成長技術
   1. MBE成長
   2. HVPE成長
4. Ga2O3トランジスタ開発
   1. 横型MESFET
   2. 横型DモードMOSFET
   3. 横型フィールドプレートMOSFET
   4. 横型EモードMOSFET
   5. 縦型DモードMOSFET (CAVET)
   6. 国内外他機関のGa2O3トランジスタ開発動向
5. Ga2O3ショットキーバリアダイオード (SBD) 開発
   1. HVPE成長したドリフト層を有する縦型SBD
   2. 縦型フィールドプレートSBD
   3. 国内外他機関のGa2O3ダイオード開発動向
6. まとめ、今後の課題
• 質疑応答

第2部 ミストドライ成膜法を用いた酸化ガリウムパワーデバイスの開発と今後の展開

(2018年4月24日 15:10〜16:20)

　酸化ガリウム (Ga2O3) は、約5eVにも及ぶ広いバンドギャップを持つ半導体であり、超低損失パワーデバイスへの応用が期待できる魅力的な新材料である。また、低コスト化への取り組みも進んでおり、次世代パワーデバイスの本命材料とも見られつつある。
　本講演ではFLOSFIAと京都大学がこれまで行ってきた取り組みや最新のデバイスデータについて発表する。

1. FLOSFIA会社概要
2. α – Ga2O3について
3. パワーデバイスとしてのこれまでの成果と課題
   1. 世界トップデータのオン損失
   2. スイッチング損失の低減
   3. 熱抵抗低減への取り組み
   4. FETへの取り組み
   5. コスト競争力
4. FLOSFIAのビジネスモデルと今後のマーケット
5. ミストドライ法紹介
6. まとめ
• 質疑応答