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酸化ガリウムパワーデバイスの概要、開発動向

酸化ガリウムパワーデバイスの概要、開発動向

東京都 開催 会場 開催
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開催日

  • 2018年3月28日(水) 13時30分 ～ 16時30分

受講対象者

  • 酸化ガリウム半導体に関連する技術者、研究開発・企画戦略・生産製造などに携わる方
    • 電機
    • 自動車
    • 半導体材料・装置 など

修得知識

  • 各種要素技術開発の現状と今後に向けた課題
    • バルク・基板
    • エピタキシャル薄膜成長
    • デバイス (トランジスタ、ショットキーバリアダイオード)

プログラム

  1. はじめに
    1. Ga2O3の材料的特徴 (SiC, GaNとの比較から)
    2. 将来的なGa2O3デバイスの用途
  2. Ga2O3バルク融液成長技術、ウェハー製造
    1. 単結晶バルク融液成長
    2. 単結晶Ga2O3ウェハー
  3. Ga2O3エピタキシャル薄膜成長技術
    1. オゾンMBE成長
    2. プラズマMBE成長
    3. HVPE成長
  4. Ga2O3トランジスタ開発
    1. 横型MESFET
    2. 横型DモードMOSFET
    3. 横型フィールドプレートMOSFET
    4. 横型EモードMOSFET
    5. 縦型DモードMOSFET (CAVET)
    6. 海外のGa2O3トランジスタ開発動向
  5. Ga2O3ショットキーバリアダイオード (SBD) 開発
    1. HVPE成長したドリフト層を有する縦型SBD
    2. 縦型フィールドプレートSBD
  6. まとめ、今後の課題
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講師

  • 東脇 正高 氏
    大阪公立大学 大学院 工学研究科 電子物理工学分野
    教授
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会場

ちよだプラットフォームスクウェア

5F

東京都 千代田区 神田錦町3-21
ちよだプラットフォームスクウェアの地図
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主催

株式会社 シーエムシー・リサーチ
お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 50,000円 (税別) / 54,000円 (税込)
複数名
: 45,000円 (税別) / 48,600円 (税込) (案内をご希望の場合に限ります)

案内割引・複数名同時申込割引について

シーエムシーリサーチからの案内をご希望の方は、割引特典を受けられます。
また、2名以上同時申込で全員案内登録をしていただいた場合、2名様目以降は半額 (税込 21,500円)となります。

  • Eメール案内を希望する方
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 39,815円(税別) / 43,000円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 59,722円(税別) / 64,500円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 79,630円(税別) / 86,000円(税込)
  • Eメール案内を希望しない方
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 45,370円(税別) / 49,000円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 90,741円(税別) / 98,000円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 136,111円(税別) / 147,000円(税込)

アカデミック割引

  • 1名様あたり 13,889円(税別) / 15,000円(税込)

学校教育法にて規定された国、地方公共団体、および学校法人格を有する大学、大学院の教員、学生に限ります。

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