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レジスト材料・プロセスおよび周辺技術の総合知識

レジスト材料・プロセスおよび周辺技術の総合知識

~レジスト・リソグラフィ入門 / レジスト材料の基礎・プロセスの最適化、高品位化 / トラブルの発生メカニズムと対策~
東京都 開催 会場 開催 個別相談付き

概要

本セミナーでは、これからレジスト材料を使用するユーザー、レジスト材料開発、処理装置開発、リソグラフィでトラブルを抱えている方々を対象に、フォトレジスト材料の特性、プロセスの最適化、付着・濡れ・欠陥といった各種トラブルに注目し、評価・解決のアプローチを丁寧に説明いたします。
また、研究開発・トラブルフォローといった実務上での取り組み方について、豊富な実例を交えながら解説いたします。

開催日

  • 2017年10月17日(火) 13時00分 16時30分

修得知識

  • レジスト・リソグラフィの基礎知識
  • レジスト材料の基礎
  • レジスト・リソグラフィにおけるプロセスの最適化、高品位化
  • レジスト・リソグラフィにおけるトラブルの発生メカニズムと対策

プログラム

 現在、フォトレジストは、産業の様々な分野で広く利用されています。しかし、その高度化に伴い、フォトレジストの品質が製品に与える影響も深刻化しています。また、フォトレジストユーザーの要求も幅広くなり、フォトレジスト材料および装置メーカー側は対応に追われる状況です。
 本セミナーでは、これからレジスト材料を使用するユーザー、レジスト材料開発、処理装置開発、リソグラフィでトラブルを抱えている方々を対象に、フォトレジスト材料の特性、プロセスの最適化、付着・濡れ・欠陥といった各種トラブルに注目し、評価・解決のアプローチを丁寧に説明します。また、研究開発・トラブルフォローといった実務上での取り組み方について、豊富な実例を交えながら解説します。初心者にも分かりやすく、基礎から学べる内容となっています。また、最近の傾向として、レジスト材料メーカーおよび装置メーカーにおいても、デバイス作製のノウハウと知識が求められてきています。レジストユーザーの視点とは何かを講師の経験も含めて詳述します。
 受講者が抱えている日々のトラブルやノウハウ相談にも個別に応じます。

  1. レジスト・リソグラフィ入門
    (これだけは習得しておきたい)
    1. リソグラフィプロセスの基礎
      • プロセスフロー
      • レジスト材料
      • ポジ型
      • ネガ型レジスト
      • 光化学反応メカニズム
      • パターン現像
      • 露光システム
      • レイリーの式
      • 解像力
      • 焦点深度
    2. レジストコントラストで制御する
      • 光学像コントラスト
      • 残膜曲線
      • 溶解コントラスト
      • 現像コントラスト
      • パターン断面形状改善
    3. 段差部でのパターン形状の最適化設計
      • 平坦化特性
      • 膜内多重反射
      • バルク効果
      • ネックとブリッジ
    4. エッチングマスクとしてのレジストパターン
      • プラズマとは
      • 等方性と異方性エッチング
      • RIE
      • エッチング残差
      • ローディング効果
      • 選択比
      • ウェットエッチング
      • レジスト浸透性
    5. レジストコーティング方式の最適化
      • 粘度
      • スピンコート
      • 塗布むら対策
      • スキャンコート
      • スプレーコート
      • 減圧ベーク
      • 乾燥むら
      • インクジェットコート
  2. レジストトラブルの発生メカニズムと対策
    (最短でのトラブル解決のために)
    1. レジスト付着性の促進および低下要因とは
      • 表面エネルギー
      • 凝集力
      • 応力緩和
      • 応力集中
      • 溶液浸透
      • 検査用パターン
    2. 乾燥プロセスでのパターン剥離を検証する
      • 毛細管現象
      • パターン間メニスカス
      • Lucas – Washburnの式
      • エアートンネル
    3. 表面エネルギーからレジスト付着性が予測できる
      • 濡れ性
      • Youngの式
      • 表面エネルギー
      • 分散と極性
      • Young – Dupreの式
      • 付着エネルギーWa
      • 拡張係数S
      • 円モデル
      • 付着性と密着性の差
    4. ドライ中での付着性は溶液中と逆の結果になる
      • 軟化点効果
      • 極性成分γp効果
      • 最適条件の設定方法
    5. 過剰なHMDS処理はレジスト膜の付着性を低下させる
      • 最適な処理温度と処理時間
      • 装置設計
    6. Al膜上でのレジスト付着不良と解決方法
      • 親水化
      • 疎水化処理
      • 酸化被膜形成
      • WBL
    7. パターン凸部は凹部よりも剥離しやすい
      • アンダーカット形状
      • 応力解析
      • 応力集中効果
      • 熱応力
      • 表面硬化層の影響
    8. レジスト膜の応力をin – situ測定する
      • 減圧処理
      • 応力緩和と発生
      • 溶剤乾燥
      • 拡散モデル
    9. レジスト膜の膨潤を計測する
      • アルカリ液の浸透
      • クラウジウス・モソティの式
      • 屈折率評価
      • 導電性解析
    10. レジスト膜の欠陥発生メカニズムと対策
      • 乾燥むら
      • ベナールセル
      • 環境応力亀裂
      • ピンホール
      • 膜はがれ
    11. ドライフィルムレジスト (DFR) の付着性
      • メッキ時のEaves不良
      • バブル対策
    12. レジスト表面の微小気泡対策
      • 気泡のピンニング効果
      • エネルギー安定性解析
  3. 技術開発および各種トラブル相談
    • 日頃のトラブルサポートなどに個別に応じます
    • 質疑応答

講師

  • 河合 晃
    長岡技術科学大学
    名誉教授

会場

品川区立総合区民会館 きゅりあん

4F 第1グループ活動室

東京都 品川区 東大井5丁目18-1
品川区立総合区民会館 きゅりあんの地図

主催

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お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 38,000円 (税別) / 41,040円 (税込)
複数名
: 20,000円 (税別) / 21,600円 (税込)

複数名同時受講の割引特典について

  • 2名様以上でお申込みの場合、
    1名あたり 20,000円(税別) / 21,600円(税込) で受講いただけます。
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 38,000円(税別) / 41,040円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 40,000円(税別) / 43,200円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 60,000円(税別) / 64,800円(税込)
  • 受講者全員が会員登録をしていただいた場合に限ります。
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  • 請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
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本セミナーは終了いたしました。