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最新の超精密研磨/CMPの動向
最新の超精密研磨/CMPの動向
～研磨/CMP基礎とガラス基板から半導体デバイス用基板への応用まで～
東京都 開催
会場 開催
本セミナーは終了いたしました。
概要
本セミナーでは、研磨の基礎、加工メカニズムから解説し、プロセス、最新技術、課題、ビジネスチャンスについてノウハウを含めて詳解いたします。
開催日
- 2012年3月23日(金) 10時30分 ～ 16時30分
受講対象者
- 半導体関連の技術者
- 研磨・研磨剤に関わる技術者
- ディスプレイ
- MEMS
- ガラス基板
- 半導体デバイス用基板
- 各種基板
- 酸化膜
- 金属膜 など
修得知識
- 超精密CMP技術の基礎
- 超LSIデバイスウエハと多層配線を目指すプラナリゼーション (平坦化) CMP技術
- ガラス基板の研磨の最近の課題
- 新しい加工雰囲気を制御するベルジャー型CMP装置
プログラム
研磨技術は、モノづくりの起源であり、いつの時代でも最先端の加工技術として高性能モノづくりに貢献してきた。
本稿では、研磨の基礎を学んでもらい、その加工メカニズムを詳細に解説するとともに、どのようなところに導入されているか解説する。このようなことを理解した上で、最新のオプトメカトロニクス部品と研磨/CMPを高性能デバイスの製作プロセスにどのように適用され、どのような課題があるか、あるいはどこにビジネスチャンスがあるか、講演者の有するノウハウを含めて紹介する。
- はじめに
- 超精密ポリシング/化学的複合ポリシング (CMP) の位置づけと適用事例
- 超精密CMP技術の基礎
- シリコンウエハを例にした加工促進メカニズムと平坦化のためのパッド (研磨布) の要件
- 加工変質層 (加工ダメージ層) の発生メカニズムと評価方法
- 各種の機能性材料の超精密ポリシングの適用例 ―コロイダルシリカポリシングを含めて―
- その他の着目技術
- 超LSIデバイスウエハと多層配線を目指すプラナリゼーション (平坦化) CMP技術
- デバイスウエハの動向と平坦化CMPの必要性
- 平坦化CMPの基本的考え方と平坦化CMPの事例
- Cu/Low-k材料のCMP
- シリコンウエハのナノトポグラフィー
- その他の最近の話題
- ガラス基板の研磨の最近の課題とこれからの研磨プロセスに向けて
- ガラス研磨用スラリーの最近の動向
- セリアスラリーによるガラス基板の基本的研磨特性
- セリアスラリーに替わる代替材料の検討
- 研磨環境コントロール型CMP装置による実験
- 粗大砥粒スラリーと砥粒分散剤の効果
- 新規パッド溝パターンの開発
- 新しい加工雰囲気を制御するベルジャー型CMP装置 ―新しいCMP技術を目指して―
- Si、SiO2、Cu、サファイア、SiCなどの加工事例
- パワーデバイス用SiC単結晶の光触媒反応アシストCMP特性
- その他
- まとめ ―研磨/CMP関係の市場動向―
- 質疑応答・名刺交換
講師
会場
主催
お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。
受講料
1名様
:
45,000円 (税別) / 47,250円 (税込)
複数名
:
38,000円 (税別) / 39,900円 (税込)
複数名同時受講の割引特典について
- 2名で参加の場合、1名につき 7,350円割引
- 3名で参加の場合、1名につき 10,500円割引 (同一法人に限ります)
本セミナーは終了いたしました。
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