第1章 総論～システムLSI技術の現状と今後の動向

• 1 半導体産業を取り巻く環境
• 2 システムLSIの課題と展望
• 3 DRAM混載技術の課題と展望

第2章 沖電気工業におけるDRAM混載システムLSI技術

• 1 はじめに
• 2 市場動向
• 3 プロセス技術
  • 3.1 DRAMメモリセル
  • 3.2 トランジスタ
• 4 設計技術
  • 4.1 DRAMコア技術
  • 4.2 DRAMコアテスト技術
• 5 今後の展開

第3章 東芝におけるDRAM混載システムLSI技術

• テクノロジー/回路/CAD/テスト/アプリケーション/スペック/ロードマップを考慮しながら、
  「DRAM混載システムLSI」の最新動向を解説する。

第4章 日本電気におけるDRAM混載システムLSI技術

• テクノロジー/回路/CAD/テスト/アプリケーション/スペック/ロードマップを考慮しながら、
  「DRAM混載システムLSI」の最新動向を解説する。

第5章 日立製作所におけるDRAM混載システムLSI技術

• 1 はじめに
• 2 日立システムASICラインアップ
  • 2.1 日立システムASICのバックボーン
  • 2.2 CPU搭載μCBIC
• 3 DRAM混載ASIC HG73Mシリーズ
  • 3.1 DRAM混載のメリット
  • 3.2 HG73Mシリーズの特長
  • 3.3 DRAM混載専用プロセス
  • 3.4 DRAMモジュール
  • 3.5 DRAMモジュールテスト設計
  • 3.6 製品概要と適用分野・応用例、今後の課題
• 4 設計環境
  • 4.1 システムASIC統合設計環境
  • 4.2 新・統合設計環境
• 5 IPモジュール
• 6 HG75Cシリーズ
• 7 今後の展開計画
• 8 おわりに

第6章 富士通におけるDRAM混載システムLSI技術

• 1 はじめに
• 2 市場動向
• 3 プロセス技術
• 4 DRAMライブラリ
• 5 Fujitsu DRAM ASIC
• 6 DRAM試験
• 7 今後の展開

第7章 松下電器産業におけるDRAM混載システムLSI技術

• 1 システムLSIの市場
• 2 DRAM混載技術
  • 2.1 プロセス技術
  • 2.2 設計技術
    • 2.2.1 仕様
    • 2.2.2 回路技術
    • 2.2.3 レイアウト技術
    • 2.2.4 ライブラリ
  • 2.3 テスト技術
    • 2.3.1 DRAM混載コア部のテスト容易化設計
    • 2.3.2 DRAM混載LSIのテスト
    • 2.3.3 DRAM混載LSIのテストフロー
    • 2.3.4 DRAM混載LSIのバーンイン
• 3 アプリケーション
• 4 今後の展望

第8章 三菱電機におけるDRAM混載システムLSI技術

• 1 DRAM混載システムLSI “eRAM“コンセプト
• 2 eRAM回路設計技術
  • 2.1 eRAMメモリコア設計技術
  • 2.2 eRAM高速化・低消費電力化技術
• 3 eRAM設計手法 (CAD技術)
• 4 eRAMテスト技術
• 5 eRAMプロセス技術
  • 5.1 eRAMデバイス技術
  • 5.2 eRAM製造技術
• 6 eRAM開発戦略 (ロードマップ、製品スペック、IP化)
• 7 eRAMアプリケーション
• 8 eRAMの今後の動向

第9章 Breaking the Integration Barrier with Embedded DRAM at TSMC

• 1 Embedded DRAM Market – TSMC’s Perspective
• 2 Breaking Embedded DRAM Entry Barrier with Total Solution
• 3 High Performance, Low Cost Embedded DRAM Technology
• 4 Macro, Cell Library and Design Service
• 5 Turnkey Service: Wafer Level Burn-in, Packaging and Test
• 6 Summary and Conclusions
• 7 References