第1章 真空蒸着法

• 1. 真空蒸着法
• 2. 蒸発源
  • 2.1 電子ビーム蒸発源
  • 2.2 抵抗加熱式蒸発源
  • 2.3 高周波誘導加熱式蒸発源
  • 2.4 特殊な蒸発源
• 3. 各蒸発方式の比較

第2章 スパッタリング法

• 1. ICプロセスにおけるスパッタリング
  • 1.1 メタライゼーション
  • 1.2 絶縁膜形成
• 2. スパッタ方式とスパッタ装置の分類
  • 2.1 スパッタリング現象と膜付着速度
  • 2.2 放電形式からみた分類
  • 2.3 スパッタに特有な技巧
  • 2.4 生産方式からみた分類
• 3. スパッタ条件と膜質の相関性
  • 3.1 メタライゼーション膜
  • 3.2 SiO2絶縁膜

第3章 イオンプレーティング法

• 1. イオンプレーティングの概要
• 2. イオンプレーティングの種類
• 3. 気体放電とプラズマ
• 4. 高周波イオンプレーティング
  • 4.1 高周波イオンプレーティングと装置
  • 4.2 イオンが存在する膜
• 5. 反応性イオンプレーティング

第4章 CVD技術の概要

• 1. 序
• 2. CVD技術
• 3. 熱CVD法
  • 3.1 熱CVD法の概要
  • 3.2 常圧CVD
  • 3.3 減圧CVD
• 4. プラズマCVD
  • 4.1 プラズマCVD法の概要
  • 4.2 プラズマCVD生成膜の概要
• 5. 光CVD
  • 5.1 光CVD法の概要
  • 5.2 光CVD生成膜の概要
• 6. MOCVD膜

第5章 ドライエッチング

• 1. 概説
• 2. エッチング装置
  • 2.1 分類
  • 2.2 装置の機能と特徴
• 3. ガスの選択
• 4. エッチングの諸問題
  • 4.1 異方性エッチング
  • 4.2 Alのアフタコロージョン
  • 4.3 汚染とダメージ

第6章 ECRプラズマCVDによる低温成膜技術

• 1. 概説
• 2. 原理
  • 2.1 ECRプラズマ及びプラズマの引き出し
  • 2.2 ECRプラズマ流による膜生成
  • 2.3 ECRデポジション法の特徴
• 3. 実際の装置
  • 3.1 装置構成及び特徴
  • 3.2 装置の諸特性
• 4. 応用

第7章 アモルファスSi作製技術

• 1. アモルファスシリコンとは (緒言)
• 2. グロー放電法 (プラズマCVD)
  • 2.1 装置概要
  • 2.2 装置の取り扱い
• 3. 良質膜を得るために
  • 3.1 プラズマ条件と膜質
  • 3.2 電源周波数の選択
• 4. 膜厚、膜質モニター
• 5. 結言

第8章 膜厚測定

• 1. 概要
• 2. 膜厚測定法
  • 2.1 水晶子法
  • 2.2 触針法
  • 2.3 多重反射干渉法 (Tolansky法)
  • 2.4 光干渉法
  • 2.5 球面研摩法

第9章 組成分析

• 1. はじめに
• 2. 電子ビームを用いる方法
• 3. イオンビームを用いる方法
• 4. オージェ電子分光法
  • 4.1 空間分解能
  • 4.2 定量分析
• 5. X線微小分析と蛍光X線分析法
  • 5.1 空間分解能
  • 5.2 定量分析
• 6. 二次イオン質量分析法
  • 6.1 空間分解能
  • 6.2 定量分析

第10章 薄膜の結晶構造解析

• 1. 概説
• 2. X線回析法
  • 2.1 X線回析の概要
  • 2.2 X線回析実験技術
  • 2.3 応用例
• 3. その他の方法
  • 3.1 EXAFSによる薄膜の構造解析
  • 3.2 EAPFSによる薄膜表面の構造解析