脱炭素社会の実現に向け、電力変換効率を高めるパワー半導体技術が注目されている。
　本セミナーでは、AIデータセンターの電源効率化に貢献するGaNデバイスの最新動向と、EV市場にて期待されるSiCデバイスの技術革新を中心に解説する。特にGaNは高周波・高効率動作に優れ、次世代電源設計に不可欠な要素である。一方、EV向けSiCは市場が踊り場にある中でも、高耐圧・低損失特性により車載インバータ等での採用が進んでいる。しかし現状では、依然としてシリコンパワーデバイスが主役に君臨している。これはとりもなおさず、SiC/GaNデバイスに代表される次世代パワーデバイスの性能、信頼性、さらには価格が市場の要求に十分応えられていないことによる。最強の競合相手であるシリコンパワーデバイスからSiC/GaNをはじめとした新材料パワーデバイス開発技術の現状と今後の動向について、半導体素子や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。

1. パワーエレクトロニクス (パワーエレクトロニクス) 、パワーデバイスとは何?
   1. パワーエレクトロニクス&パワーデバイスの仕事
   2. パワーデバイスの種類と基本構造
   3. パワーデバイスの適用分野
   4. 次世代パワーデバイス開発の位置づけ
2. シリコンパワーデバイスの現状と課題
   1. パワー半導体デバイス市場の現在と将来
   2. MOSFET特性改善を支える技術
      1. 低耐圧MOSFET
      2. 高耐圧MOSFET
   3. IGBT特性改善を支える技術
   4. IGBT特性改善の次の一手
3. SiCパワーデバイスの現状と課題
   1. 半導体デバイス材料の変遷
   2. ワイドバンドギャップ半導体材料はなぜパワーデバイスに適している理由
   3. なぜSiCパワーデバイスが新材料パワーデバイスでトップランナなのか
   4. 各企業はSiC-IGBTではなくSiC-MOSFETを開発する。なぜか?
   5. SiC-MOSFETの普及拡大のために解決すべき課題
   6. SiC-MOSFETコストダウンのための技術開発
   7. 低オン抵抗化がなぜコストダウンにつながるのか
   8. 最新SiC-MOSFET低オン抵抗化技術
   9. SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは?
   10. 内蔵ダイオード信頼性向上技術
4. GaNパワーデバイスの現状と課題
   1. GaNパワーデバイスの特徴はなにか?
   2. SiCとGaNデバイスの狙う市場
   3. GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は?
   4. ノーマリ-オフ・ノーマリーオン特性とはなに?
   5. GaN-HEMTのノーマリ-オフ化
   6. 最近のGaN-HEMTの進展
   7. 縦型GaNデバイスの最新動向
5. 酸化ガリウム・ダイヤモンドパワーデバイスの現状
   1. 酸化ガリウムとその特徴
   2. 酸化ガリウムパワーデバイス最新開発状況
   3. ダイヤモンドパワーデバイス開発状況
6. SiCパワーデバイス高温対応実装技術
   1. SiC-MOSFETモジュールに求められるもの
   2. 配線のインダクタンスを低減したパッケージ
   3. 接合材について
   4. 銀または銅焼結接合技術
   5. SiC-MOSFETモジュール技術
7. まとめ