第1部 EUVリソグラフィの最新動向と課題解決への技術開発

(2021年8月3日 10:00〜12:00)

　EUVリソグラフィー (EUVL) 技術は2020年よりスマートフォン、タブレット等のロジックデバイスの量産技術として本格的な量産技術として採用されています。次世代の半導体の量産に向けて、多くのEUVL技術課題があり、黎明期での開発の内容を知って上で、これらの課題可決に取り組む必要があります。一方で、我が国の経済活性化には半導体技術の進展が必須であり、国の安全保障と密接に絡む技術であります。この意味においても、まだまだ半導体微細加工技術が果たす役割が強い状況です。以上の内容を鑑みた講演内容になっていますので、ご視聴を頂けると幸いです。

1. 半導体国際ロードマップの紹介
2. 微細加工技術の必要性とその効果
3. なぜEUVリソグラフィーが必要か?
4. EUVリソグラフィーとは?
5. EUVリソグラフィーの黎明期について
6. EUVレジスト、マスク、ペリクル技術の現状とそれらの技術課題
7. EUVリソグラフィー課題克服に向けた取り組み
8. Beyond EUVリソグラフィー技術開発に向けた取り組みの紹介
9. 世界に於ける日本の半導体技術覇権に向けての問題点・課題
10. まとめ
• 質疑応答

第2部 EUVリソグラフィ用レジスト材料の要求特性と分子設計

(2021年8月3日 13:00〜14:40)

　フォトレジスト材料は、露光システムの性能を発揮すべく、様々な構造を基盤としたポリマーや低分子化合物の合成が検討されてきた。レーザーに対する透明性、感度、ラフネス、耐エッチング性、および薄膜の安定性などである。それらのレジスト特性は、ポリマーや低分子の基本的な物理的特性や、光反応性のデータを集めることで、かなりの深部まで予想することが可能であり、特別なレジスト関連機器がなくても、レジスト材料の分子設計は可能であることを解説する。さらに、KrF、ArF、EB、およびEUVレジスト材料の合成例と分子設計指針について解説し、最新のレジスト材料としてEUVレジスト材料の開発方法について解説する。

1. レジスト材料
   1. 原理
   2. 合成
   3. 化学増幅型
2. ポジ型レジスト材料
3. ネガ型レジスト材料
4. 高分子レジスト材料と低分子レジスト
5. レジスト材料の評価方法と開発方法の実例
6. 最新型レジスト材料
   • メタルレジスト材料
   • EB用レジスト材料
   • EUV用レジスト材料
• 質疑応答

第3部 EUVレジストの評価技術

(2021年8月3日 14:50〜16:30)

　EUVレジスト材料開発と評価・プロセス技術について解説します。特に、現在、開発が進んでいる次世代EUVレジストである、メタルレジストの特徴と評価方法について、解説します。

1. EUVLの概要
   1. EUVLの概要
   2. EUVL用レジスト
2. アウトガス評価技術
   1. EUVLレジストのアウトガス評価方法
   2. EUVLレジストのアウトガス評価装置
3. EUVレジストの評価技術
   1. EUV透過率測定
   2. ナノパーティクル添加レジストの高感度化
4. EUVメタルレジストの評価技術
   1. メタルレジストの概要
   2. EUVメタルレジストのアウトガス分析
   3. EUVメタルレジストの問題点
5. EUVフォトレジストと電子線レジストの感度
• 質疑応答