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酸化ガリウムパワーデバイスの概要、開発動向
酸化ガリウムパワーデバイスの概要、開発動向
東京都 開催
会場 開催
本セミナーは終了いたしました。
開催日
- 2018年3月28日(水) 13時30分 ～ 16時30分
受講対象者
- 酸化ガリウム半導体に関連する技術者、研究開発・企画戦略・生産製造などに携わる方
- 電機
- 自動車
- 半導体材料・装置 など
修得知識
- 各種要素技術開発の現状と今後に向けた課題
- バルク・基板
- エピタキシャル薄膜成長
- デバイス (トランジスタ、ショットキーバリアダイオード)
プログラム
- はじめに
- Ga2O3の材料的特徴 (SiC, GaNとの比較から)
- 将来的なGa2O3デバイスの用途
- Ga2O3バルク融液成長技術、ウェハー製造
- 単結晶バルク融液成長
- 単結晶Ga2O3ウェハー
- Ga2O3エピタキシャル薄膜成長技術
- オゾンMBE成長
- プラズマMBE成長
- HVPE成長
- Ga2O3トランジスタ開発
- 横型MESFET
- 横型DモードMOSFET
- 横型フィールドプレートMOSFET
- 横型EモードMOSFET
- 縦型DモードMOSFET (CAVET)
- 海外のGa2O3トランジスタ開発動向
- Ga2O3ショットキーバリアダイオード (SBD) 開発
- HVPE成長したドリフト層を有する縦型SBD
- 縦型フィールドプレートSBD
- まとめ、今後の課題
講師
会場
主催
お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。
受講料
1名様
:
50,000円 (税別) / 54,000円 (税込)
複数名
:
45,000円 (税別) / 48,600円 (税込)
(案内をご希望の場合に限ります)
案内割引・複数名同時申込割引について
シーエムシーリサーチからの案内をご希望の方は、割引特典を受けられます。
また、2名以上同時申込で全員案内登録をしていただいた場合、2名様目以降は半額 (税込 21,500円)となります。
- Eメール案内を希望する方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 39,815円(税別) / 43,000円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 59,722円(税別) / 64,500円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 79,630円(税別) / 86,000円(税込)
- Eメール案内を希望しない方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 45,370円(税別) / 49,000円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 90,741円(税別) / 98,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 136,111円(税別) / 147,000円(税込)
アカデミック割引
- 1名様あたり 13,889円(税別) / 15,000円(税込)
学校教育法にて規定された国、地方公共団体、および学校法人格を有する大学、大学院の教員、学生に限ります。
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