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圧電MEMS用PZT薄膜の形成と評価、及びデバイス応用

圧電MEMS用PZT薄膜の形成と評価、及びデバイス応用

東京都 開催 会場 開催
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概要

本セミナーでは、圧電MEMSについて基礎事項から解説し、圧電MEMS用薄膜形成、評価方法、デバイスプロセス、応用展開事例までを解説いたします。

開催日

  • 2014年12月4日(木) 13時00分 ～ 16時30分

受講対象者

  • 圧電MEMSに関連する技術者、研究者、開発者
  • 圧電MEMS用PZT薄膜の応用製品に関連する技術者、研究者、開発者
    • インクジェットヘッド
    • ジャイロセンサ
    • RFスイッチ
    • 振動発電素子
    • 無線センサ 等

修得知識

  • 圧電MEMSの基礎
  • 圧電MEMSの薄膜形成
  • 圧電MEMS用薄膜の評価方法
  • 圧電MEMS用薄膜のデバイスプロセス
  • 圧電MEMS用薄膜の応用展開事例

プログラム

　チタン酸ジルコン酸鉛 (Pb (Zr,Ti) O3, PZT) 薄膜を用いた圧電MEMSデバイスは、インクジェットヘッド、ジャイロセンサなどが製品化されており、今後はRFスイッチ、振動発電素子、無線センサへの応用に向けた需要増大が予想されています。これに呼応するように、ファウンダリ事業も国内で立ち上がりつつあり、圧電MEMSデバイスは研究、開発から製品化までさまざまなフェーズで活況を呈しています。
　本セミナーでは、このような状況にある圧電MEMSについて、基礎事項から薄膜形成、評価方法、デバイスプロセス、応用展開事例までを網羅的に解説します。

  1. MEMS・圧電薄膜・圧電MEMSデバイスの基礎事項
    1. 実用化されている圧電MEMSデバイス
    2. MEMSについて
    3. 圧電体について
    4. PZT薄膜の組成、結晶配向性と圧電特性
    5. 圧電MEMSデバイス研究開発のポイント
  2. 圧電薄膜の形成と評価方法
    1. 様々なPZT薄膜形成方法
    2. 配向性制御
    3. ゾルゲル法による配向性PZT薄膜の形成
    4. PZT薄膜の圧電特性評価
  3. 圧電MEMSデバイス作製プロセスと評価方法
    1. 圧電MEMSデバイスの作製プロセス
    2. アクチュエータ、センサ、振動発電特性の評価
    3. パルス電圧印加による高速ポーリング
  4. 応用展開事例
    1. 光スキャナ
    2. マイクロ静電気センサ
    3. 無線センサデバイス
    4. ヒューマンインターフェースデバイス
  5. 今後の課題と将来展望
    • 質疑応答
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講師

  • 小林 健 氏
    独立行政法人 産業技術総合研究所
    主任研究員
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会場

品川区立総合区民会館 きゅりあん

5階 第3講習室

東京都 品川区 東大井5丁目18-1
品川区立総合区民会館 きゅりあんの地図
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主催

サイエンス＆テクノロジー 株式会社
お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 38,000円 (税別) / 41,040円 (税込)
複数名
: 20,000円 (税別) / 21,600円 (税込)

複数名同時受講の割引特典について

  • 2名様以上でお申込みの場合、
    1名あたり 20,000円(税別) / 21,600円(税込) で受講いただけます。
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 38,000円(税別) / 41,040円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 40,000円(税別) / 43,200円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 60,000円(税別) / 64,800円(税込)
  • 受講者全員が会員登録をしていただいた場合に限ります。
  • 同一法人内(グループ会社でも可)による複数名同時申込みのみ適用いたします。
  • 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
  • 請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
    申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。
  • 他の割引は併用できません。
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