技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー

ドライプロセス微細化の限界を突破するクライオプラズマエッチング

ドライプロセス微細化の限界を突破するクライオプラズマエッチング

オンライン 開催

アーカイブ配信で受講をご希望の場合、視聴期間は2026年9月2日〜9日を予定しております。
アーカイブ配信のお申し込みは2026年9月7日まで承ります。

概要

本セミナーでは、シリコンウェハなどの基板をマイナス数十度からマイナス百数十度の極低温に冷却しながら行う次世代ドライエッチング技術「クライオプラズマエッチング」の実用化に向けた課題と可能性について詳解いたします。

開催日

  • 2026年8月31日(月) 13時30分 ~ 16時30分

受講対象者

  • 半導体装置メーカー、半導体製造の研究開発・生産製造に携わる方

修得知識

  • ドライエッチングの基礎、原理
  • ドライプロセスの要件
  • 高アスペクトエッチング、クライオエッチングの原理と各分野への応用
  • クライオエッチングの反応メカニズム
  • クライオエッチングの最新動向

プログラム

 半導体集積回路デバイスの製造において、プラズマを用いた微細加工、すなわちプラズマエッチングは不可欠なプロセス技術である。トランジスタ、DRAM、NANDに代表されるデバイスでは、従来の微細化および高積層化 (スケーリング) が進められてきた。しかし近年、既存技術には物理的・技術的な限界が顕在化しつつある。そこで、基板温度を極低温領域まで低下させ、ウェハ表面における反応種の物理吸着および表面拡散を制御するクライオプラズマエッチング (cryogenic plasma etching) が注目されている。
 本講演では、プラズマエッチングの基本原理から、クライオエッチング導入の背景、反応メカニズムの解明、ならびに最新の研究動向について解説する。
 プラズマプロセス分野以外の方でも理解しやすいよう、ドライエッチングの基礎原理と知識から解説する。ドライプロセスの要件を理解することより、高アスペクトエッチング、クライオエッチングの原理と各分野への応用を説明する。最後、クライオエッチングの反応メカニズムと最新動向を紹介する。

  1. エッチング加工とは
    1. 等方性エッチング
    2. 異方性エッチング
  2. ドライプロセスエッチング
    1. 低温プラズマの基礎原理と知識
    2. プラズマエッチングと装置
    3. プラズマエッチングメカニズム
    4. 高アスペクトエッチング
  3. クライオエッチング
    1. クライオエッチングとは
    2. クライオエッチングの基礎原理
    3. クライオエッチングの応用例
  4. クライオエッチングによる高アスペクト比加工
    1. クライオシリコン深掘エッチング
    2. クライオチャネルホール深掘エッチング
  5. クライオエッチングの反応メカニズムと加工技術の最新動向
    1. クライオエッチングにおける気相反応
    2. クライオエッチングにおける表面反応
    3. クライオ原子層エッチング
    • 質疑応答

主催

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 40,000円 (税別) / 44,000円 (税込)
複数名
: 20,000円 (税別) / 22,000円 (税込) (案内をご希望の場合に限ります)

案内割引・複数名同時申込割引について

R&D支援センターからの案内登録をご希望の方は、割引特典を受けられます。
案内および割引をご希望される方は、お申込みの際、「案内の希望 (割引適用)」の欄から案内方法をご選択ください。

「案内の希望」をご選択いただいた場合、1名様 36,000円(税別) / 39,600円(税込) で受講いただけます。
複数名で同時に申込いただいた場合、1名様につき 20,000円(税別) / 22,000円(税込) で受講いただけます。

  • R&D支援センターからの案内を希望する方
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 36,000円(税別) / 39,600円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 40,000円(税別) / 44,000円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 60,000円(税別) / 66,000円(税込)
  • R&D支援センターからの案内を希望しない方
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 40,000円(税別) / 44,000円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 80,000円(税別) / 88,000円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 120,000円(税別) / 132,000円(税込)

ライブ配信対応セミナー / アーカイブ配信対応セミナー

  • 「Zoom」を使ったライブ配信またはアーカイブ配信セミナーのいずれかをご選択いただけます。
  • お申し込み前に、 Zoomのシステム要件 と テストミーティングへの参加手順 をご確認いただき、 テストミーティング にて動作確認をお願いいたします。
  • 開催日前に、接続先URL、ミーティングID​、パスワードを別途ご連絡いたします。
  • セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
  • タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
  • ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
  • 講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。

ライブ配信セミナーをご希望の場合

  • Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
    万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。

アーカイブ配信セミナーをご希望の場合

  • 当日のセミナーを、後日にお手元のPCやスマホ・タブレッドなどからご視聴・学習することができます。
  • 配信開始となりましたら、改めてメールでご案内いたします。
  • 視聴サイトにログインしていただき、ご視聴いただきます。
  • 視聴期間は2026年9月2日〜9日を予定しております。
    ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。
本セミナーは終了いたしました。

これから開催される関連セミナー

開始日時 会場 開催方法
2026/9/28 半導体製造装置用セラミックス部材の開発動向とプラズマ耐性向上 オンライン
2026/9/29 半導体市場の動向と半導体産業の今後の見通し オンライン
2026/9/30 半導体ウェット洗浄の基礎・実践と最新洗浄技術 オンライン
2026/10/2 ALD (原子層堆積法) の基礎とプロセス最適化および最新技術動向 東京都 会場
2026/10/2 2nm以降半導体向け配線技術の最新動向と材料、プロセスへの要求特性 オンライン
2026/10/2 半導体 (IC) の製造工程と半導体用素部材の基本情報 オンライン
2026/10/8 三次元集積化プロセスの基礎と先進半導体パッケージの最新動向 オンライン
2026/10/8 パワー半導体実装部の熱疲労信頼性設計へ向けた機械負荷試験評価法 オンライン
2026/10/9 半導体製造装置の基礎・トレンドと今後の展望 (2026年秋版) オンライン
2026/10/9 光電融合・Co-Packaged Optics (CPO) 技術の基礎と最新研究動向および技術課題 オンライン
2026/10/13 光電融合・Co-Packaged Optics (CPO) 技術の基礎と最新研究動向および技術課題 オンライン
2026/10/14 ウェットエッチングの基礎と形状コントロール及びトラブル対策とノウハウ オンライン
2026/10/15 光半導体のパッケージング技術、基本情報と課題 オンライン
2026/10/15 光電融合技術の最新動向と実装プロセス、樹脂材料への要求特性 オンライン
2026/10/16 光半導体のパッケージング技術、基本情報と課題 オンライン
2026/10/16 半導体デバイスを基礎から理解する : 現場や実務で役立つデバイス物性入門 オンライン
2026/10/16 酸化物半導体の基礎と三次元集積デバイス応用に向けた研究開発動向 オンライン
2026/10/19 半導体デバイスを基礎から理解する : 現場や実務で役立つデバイス物性入門 オンライン
2026/10/19 プラズマ表面反応制御によるダイヤモンド・ワイドギャップ半導体材料の原子精度加工 オンライン
2026/10/20 パワー半導体実装部の熱疲労信頼性設計へ向けた機械負荷試験評価法 オンライン