技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
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本セミナーでは、ワイドギャップ半導体の結晶評価技術の開発に焦点を当て、評価技術の原理と事例を基礎から解説いたします。
4H-SiC、GaN、β-GaO、AlNに代表されるワイドギャップ化合物半導体は、高電力密度や低損失、高温での安定性など、従来の半導体に比べて優れた性能を有しており、近年、これらの材料を利用した次世代のパワーデバイスの研究開発が大きな進展を遂げている。しかしながら、強い共有結合をもつため、材料の結晶成長が困難で成長後の結晶中に転位等の格子欠陥が高密度に含まれる。格子欠陥の一部はデバイスの性能と信頼性を損ねるため、欠陥分布と種別を正確に取得した上で、デバイス特性を大きく低下させるキラー欠陥を特定し、その情報を結晶成長とデバイス作製にフィードバックすることが極めて重要である。
本講演では、ワイドギャップ半導体の結晶評価技術の開発に焦点を当て、評価技術の原理と事例を基礎から解説する。各手法の適用範囲と課題を説明するとともに、新たな手法開発の取り組みとして、放射光X線トポグラフィーをはじめ、エッチピット法、透過型電子顕微鏡 (TEM) 、多光子励起顕微鏡などの最新評価事例を紹介する。
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また、2名様以上同時申込で全員案内登録をしていただいた場合、1名様あたり半額の 18,000円(税別) / 19,800円(税込)となります。
学校教育法にて規定された国、地方公共団体、および学校法人格を有する大学、大学院の教員、学生に限ります。
| 発行年月 | |
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| 2016/9/30 | 電磁波吸収・シールド材料の設計、評価技術と最新ノイズ対策 |
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| 2013/12/15 | パワー半導体 技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版) |
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| 2013/10/31 | ディジタルコンバータの回路と制御設計の基礎 |
| 2013/2/10 | 酸化物半導体 技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版) |
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| 2012/10/30 | SiCパワーデバイスの開発と最新動向 |
| 2012/6/15 | 半導体・液晶パネル製造装置9社 技術開発実態分析調査報告書 |
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| 2012/4/25 | GaNパワーデバイスの技術展開 |
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| 2010/8/1 | '11 EMC・ノイズ対策業界の将来展望 |
| 2010/6/5 | 半導体技術10社 技術開発実態分析調査報告書 |
| 2010/5/14 | SiCパワーデバイス最新技術 |
| 2009/4/17 | '09 ノイズ対策関連市場の将来展望 |