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半導体ウェハの結晶欠陥の制御と欠陥検出、評価技術

半導体ウェハの結晶欠陥の制御と欠陥検出、評価技術

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開催日

  • 2024年10月24日(木) 10時30分 ～ 16時15分

受講対象者

  • SiC半導体、GaN半導体、パワーデバイスに関連する技術者
    • 電気・エネルギー関連
    • 電力変換回路
    • 自動車
    • ハイブリッド車
    • 電気自動車
    • 電車
    • PC
    • 家電
    • エレベータ
    • インバーター
    • 無停電電源装置 など
  • 半導体評価・分析技術者、半導体プロセス技術者

修得知識

  • SiCパワー半導体に関する基礎知識
  • SiCパワー半導体の開発・ビジネスの概況
  • SiCパワー半導体の礎となるSiC単結晶ウェハに関する基礎知識
  • SiC単結晶ウェハの開発・ビジネスの概況
  • ラマン分光分析の基礎
  • 半導体の応力・欠陥分析技術

プログラム

第1部 半導体ウェハの製造プロセスと欠陥制御技術

(2024年10月24日 10:30〜12:00)

　本講演では、EV用パワー半導体として大きな注目が集まっているSiCパワー半導体開発の最前線を紹介すると共に、SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネス展開を分かり易く説明します。

  1. SiCパワー半導体開発の現状
    1. SiCパワー半導体開発の背景
      1. 環境・エネルギー技術としての位置付け
      2. SiCパワー半導体開発がもたらすインパクト
    2. SiCパワー半導体開発の歴史
      1. SiCパワー半導体開発の黎明期
      2. SiC単結晶成長とエピタキシャル成長のブレイクスルー
    3. SiCパワー半導体開発の現状と動向
      1. SiCパワー半導体の市場
      2. SiCパワー半導体関連の学会・業界動向
      3. SiCパワー半導体関連の最近のニュース
    4. SiC単結晶の物性的特徴と各種デバイス応用
      1. SiC単結晶とは?
      2. SiC単結晶の物性と特長
      3. SiC単結晶の各種デバイス応用
    5. SiCパワーデバイスの最近の進展
      1. SiCパワーデバイスの特長
      2. SiCパワーデバイス (SBD、MOSFET) の現状
      3. SiCパワーデバイスのシステム応用
  2. SiC単結晶ウェハ製造プロセスの現状と展望
    1. SiC単結晶のバルク結晶成長
      1. SiC単結晶成長の熱力学
      2. 昇華再結晶法
      3. 溶液成長法
      4. 高温CVD法 (ガス法)
      5. その他成長法
    2. SiC単結晶ウェハの加工技術
      1. SiC単結晶ウェハの加工プロセス
      2. SiC単結晶の切断技術
      3. SiC単結晶ウェハの研磨技術
    3. SiC単結晶ウェハ上へのSiCエピタキシャル薄膜成長技術
      1. SiCエピタキシャル薄膜成長技術の概要
      2. SiCエピタキシャル薄膜成長装置の動向
  3. SiC単結晶ウェハ製造の技術課題
    1. SiC単結晶のポリタイプ制御
      1. SiC単結晶のポリタイプ現象
      2. 各種ポリタイプの特性
      3. SiC単結晶成長におけるポリタイプ制御
    2. SiC単結晶中の拡張欠陥
      1. 各種拡張欠陥の分類
      2. 拡張欠陥の評価法
    3. SiC単結晶のウェハ加工
      1. ウェハ加工の技術課題
      2. ウェハ加工技術の現状
    4. SiCエピタキシャル薄膜成長
      1. エピタキシャル薄膜成長の技術課題
      2. エピタキシャル薄膜成長技術の現状
    5. SiC単結晶ウェハの電気特性制御
      1. 低抵抗率SiC単結晶ウェハの必要性
      2. 低抵抗率SiC単結晶ウェハの技術課題と現状
    6. SiC単結晶ウェハの高品質化
      1. マイクロパイプ欠陥の低減
      2. 貫通転位の低減
      3. 基底面転位の低減
    7. まとめ
    • 質疑応答

第2部 レーザーラマン顕微鏡による半導体ウエハーの応力、欠陥の分析技術

(2024年10月24日 13:00〜14:30)

　レーザーラマン顕微鏡を用いた半導体ウエハーの分析について、基礎から応用まで詳しく解説します。 ラマン分光分析は、少し前までは、非常に測定が難しく、かつ、時間がかかる分析だと思われていましたが、現在はどなたでも手軽に分析できる手法となりました。
　本講座では、分析の幅が広がるよう、最先端 半導体材料のラマンイメージングによる応力・欠陥分析事例や、測定のコツをお伝えします。

  1. ラマン分光の基本
  2. 半導体の応力・欠陥分析においてラマン分光でできること
    1. 組成評価
    2. 応力評価
    3. 結晶評価
    4. キャリア濃度評価
  3. 半導体ウエハーのラマン分光分析の課題と技術動向
    1. 微小領域の分析技術
    2. 応力評価のポイント
    3. ウエハー全面 (広範囲) イメージング技術
  4. 半導体ウエハーのラマンイメージング分析事例
    1. Siウエハーの分析
    2. SiCウエハーの複合分析
    3. GaNウエハーの複合分析
    4. ウエハー上の薄膜 (MoS2) ラマン、フォトルミネッセンス複合分析
  5. 最新の技術動向とまとめ
    • 質疑応答

第3部 多光子励起フォトルミネッセンスによる結晶欠陥の非破壊・三次元観察

(2024年10月24日 14:45〜16:15)

  1. はじめに
    1. ワイドギャップ半導体材料の結晶欠陥
    2. 結晶欠陥の評価解析の必要性
  2. 結晶欠陥の評価、観察技術
  3. 多光子励起フォトルミネッセンス法を用いた三次元イメージング
    1. 三次元イメージングの原理
    2. 結晶欠陥の非破壊評価
    3. 結晶欠陥の観察
    • 質疑応答
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講師

  • 大谷 昇 氏
    関西学院大学 工学部 教授
    教授
  • 足立 真理子 氏
    ナノフォトン株式会社 セールス&アプリケーションズ
    シニアエンジニア
  • 谷川 智之 氏
    大阪大学 大学院 工学研究科 電気電子情報通信工学専攻 量子フォトニクス領域
    准教授
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主催

株式会社 技術情報協会
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お問い合わせ

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(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 55,000円 (税別) / 60,500円 (税込)
複数名
: 50,000円 (税別) / 55,000円 (税込)

複数名同時受講割引について

  • 2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 50,000円(税別) / 55,000円(税込) で受講いただけます。
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 55,000円(税別) / 60,500円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 100,000円(税別) / 110,000円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 150,000円(税別) / 165,000円(税込)
  • 同一法人内による複数名同時申込みのみ適用いたします。
  • 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
  • 他の割引は併用できません。

アカデミック割引

  • 1名様あたり 30,000円(税別) / 33,000円(税込)

日本国内に所在しており、以下に該当する方は、アカデミック割引が適用いただけます。

  • 学校教育法にて規定された国、地方公共団体、および学校法人格を有する大学、大学院、短期大学、附属病院、高等専門学校および各種学校の教員、生徒
  • 病院などの医療機関・医療関連機関に勤務する医療従事者
  • 文部科学省、経済産業省が設置した独立行政法人に勤務する研究者。理化学研究所、産業技術総合研究所など
  • 公設試験研究機関。地方公共団体に置かれる試験所、研究センター、技術センターなどの機関で、試験研究および企業支援に関する業務に従事する方
  • 支払名義が企業の場合は対象外とさせていただきます。
  • 企業に属し、大学、公的機関に派遣または出向されている方は対象外とさせていただきます。

ライブ配信セミナーについて

  • 本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
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  • 開催日前に、接続先URL、ミーティングID​、パスワードを別途ご連絡いたします。
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