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レジスト/EUVレジスト・微細加工用材料の基礎とトラブル対策

レジスト/EUVレジスト・微細加工用材料の基礎とトラブル対策

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視聴期間は2024年6月3日〜14日を予定しております。
お申し込みは2024年6月12日まで承ります。

概要

本セミナーでは、レジストの基礎から、レジスト・微細加工用材料のトラブル対策についてその要求特性、課題をふまえて解説いたします。

開催日

  • 2024年6月12日(水) 10時30分 ～ 2024年6月14日(金) 16時30分

修得知識

  • レジスト・微細加工用材料の基礎
  • リソグラフィの基礎
  • レジスト・微細加工用材料のトラブル対策
  • レジスト・微細加工用材料の最新技術・ビジネス動向

プログラム

　メモリー、マイクロプロセッサ等のデバイスの高集積化の要求は、携帯端末、情報機器等の高性能化に伴い、益々大きくなっている。リソグラフィは現在先端の量産で用いられているArF液浸、ダブル/マルチパターニングに加えて、待ち望まれていたEUVが用いられている。レジスト・微細加工用材料はこのようなリソグラフィの変革に対応して進展し続けている。
　本講演では、リソグラフィの基礎を解説した後、デバイスの微細化を支えるレジストの基礎をEUVレジスト (化学増幅型EUVレジスト、EUVメタルレジスト) の詳細を含めて述べる。レジスト・微細加工用材料のトラブル対策をその要求特性、課題をふまえて解説する。EUVレジストの課題と対策についても述べる。最後に現在の3nmロジックノード以降のロードマップを解説し、今後のレジスト・微細加工用材料の技術展望、市場動向についてまとめる。

  1. リソグラフィの基礎
    1. 露光
    2. 照明方法
      1. 輪帯照明
    3. マスク
      1. 位相シフトマスク
      2. 光近接効果補正 (OPC)
      3. マスクエラーファクター (MEF)
  2. レジストの基礎
    1. 溶解阻害型レジスト
      1. g線レジスト
      2. i線レジスト
      3. レジスト組成材料の詳細とキーポイント
    2. 化学増幅型レジスト
      1. KrFレジスト
      2. ArFレジスト
      3. レジスト組成材料の詳細とキーポイント
    3. EUVレジスト
      1. 化学増幅型EUVレジスト
      2. EUVメタルレジスト
  3. レジスト・微細加工用材料のトラブル対策
    1. レジストパターン形成不良への対応
      1. パターン倒れ
      2. パターン密着性不良
      3. パターン形状不良
      4. チップ内のパターン均一性不良
    2. 化学増幅型レジストのトラブル対策
      1. レジスト材料の安定性
      2. パターン形成時の基板からの影響
      3. パターン形成時の大気からの影響
    3. ArF液浸レジストのトラブル対策
    4. ダブルパターニング、マルチパターニングのトラブル対策
      1. リソーエッチ (LE) プロセス用材料
      2. セルフアラインド (SA) プロセス用材料
    5. EUVレジストの課題と対策
      1. 感度/解像度/ラフネスのトレードオフ
      2. ランダム欠陥 (Stochastic Effects)
    6. 自己組織化 (DSA) リソグラフィのトラブル対策
      1. グラフォエピタキシー用材料
      2. ケミカルエピタキシー用材料
    7. ナノインプリントリソグラフィのトラブル対策
  4. 最新のロードマップとレジスト・微細加工用材料の技術展望、市場動向
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主催

株式会社 R&D支援センター
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お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 50,000円 (税別) / 55,000円 (税込)
複数名
: 25,000円 (税別) / 27,500円 (税込) (案内をご希望の場合に限ります)

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    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 100,000円(税別) / 110,000円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 150,000円(税別) / 165,000円(税込)

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