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半導体デバイス・プロセス開発の実際 (前編)

半導体デバイス・プロセス開発の実際 (前編)

~前工程を中心に~
オンライン 開催

アーカイブ配信で受講をご希望の場合、視聴期間は2024年3月19日〜4月2日を予定しております。
アーカイブ配信のお申し込みは2024年3月29日まで承ります。

関連するセミナーとの同時申し込みは、こちらより承っております。

概要

本セミナーでは、半導体産業全体を俯瞰し、半導体デバイス、プロセス、実装工程の実務、半導体プロセスの特徴・開発・製造方法、最先端半導体デバイスについて詳解いたします。

開催日

  • 2024年3月18日(月) 10時30分 16時30分

修得知識

  • 半導体産業全体を俯瞰する力
  • 半導体デバイス、プロセス、実装工程の実務知識
  • 半導体プロセスの特徴とそれを利用した開発・製造方法
  • 最先端半導体デバイスの基礎知識

プログラム

 最近、ニュース等で半導体関連の話題が連日のように報道されていますが、どうしても断片的な情報になってしまい、理解・把握に混乱を招いているように思われます。これは、半導体産業が地理、製造装置、材料、技術的に広範囲に渡る巨大産業のため全体像をつかみにくいためと思われます。
 ここで、一度本講座で半導体産業の全体像を整理します。また、半導体デバイス、プロセス、実装工程、システム設計の実際について必要な知識を装置、材料の変遷を踏まえて基礎から解説いたします。更に、半導体デバイス製造の特徴を上手に利用した開発・製造の考え方を解説いたします。

  1. 第1章 今、なぜシリコンか?
    1. シリコン半導体の特長
    2. シリコンvs.化合物半導体
    3. 半導体の売り上げ
    4. 半導体と用途
    5. 各種半導体物性比較
    6. シリコン資源
  2. 第2章 珪石から集積回路の出来るまで
    1. 珪石から金属シリコンの製造
    2. 金属シリコンから高純度多結晶シリコンの製造
    3. 単結晶作製
    4. 円筒研削とオリフラ、ノッチ加工
    5. スライシング
    6. ベベリングとラッピング
    7. エピタキシャル成長とSOI
    8. 前工程
    9. バイポーラプロセス概略
    10. CMOSプロセス概略
    11. 後工程
    12. バックグラインド
    13. ダイシング
    14. ダイボンド
    15. ワイヤボンド
    16. モールド
    17. リードカット、マーキング、テスト
  3. 第3章 半導体物理
    1. シリコン結晶
    2. 半導体の導電形
    3. ドーパントの種類
    4. 半導体と周期律表
  4. 第4章 半導体プロセス(前工程)の概要
    1. 基本プロセス
    2. プロセスのパターン
    3. 不純物導入パターン
    4. 成膜のパターン
    5. 金属配線のパターン
    6. セルフアライメント
  5. 第5章 前工程
    1. フォトリソグラフィー工程
      1. フォトリソグラフィーとは
      2. フォトリソグラフィー工程の説明
      3. レンズ系の解像力と焦点深度
      4. 露光用光源
        1. 超高圧水銀灯
        2. エキシマレーザー
        3. EUV光源
      5. 各種露光方式
      6. レジストコーターとデベロッパー
      7. フォトレジスト
      8. レチクル(マスク)とペリクル
      9. 超解像
      10. 近接効果補正
    2. 洗浄工程とウェットエッチング工程
      1. ウェットプロセスの概要
      2. ウェットエッチング
    3. 酸化・拡散工程
      1. 目的と原理
      2. 酸化の法則
      3. その他の酸化
      4. 酸化・拡散装置
      5. 熱電対
      6. ランピング
      7. 選択酸化
      8. 測定装置
      9. 酸化膜の色と膜厚
    4. イオン注入工程
      1. イオン注入の目的と原理
      2. イオン注入工程の概要
      3. イオン注入装置
      4. 中電流イオン注入装置の各部名称
      5. イオン注入で起こる問題
    5. CVD工程
      1. プラズマのまとめ
      2. 各種CVD
      3. CVD装置外観
      4. 減圧CVDとステップカバレッジ
      5. 原子層堆積(ALD)
    6. スパッタ工程
      1. スパッタの原理と目的
      2. 各種スパッタ
    7. ドライエッチング工程
      1. ドライエッチングの原理と目的
      2. 等方性と異方性
      3. ドライエッチング工程の概要
      4. プラズマエッチングと反応性ドライエッチング
      5. ケミカルドライエッチング
      6. ドライエッチングガス
      7. 終点検出
      8. ドライエッチングの評価
      9. ローディング効果
    8. エピタキシャル成長
      1. エピタキシャル成長の基本
      2. ヘテロエピタキシャル成長
      3. 原子層エピタキシャル成長(ALE)
    9. CMP工程
      1. CMP工程概要
      2. CMP適用工程例
    10. ウェハテストとプローブテスト
      1. はじめに
      2. ウェハテスト
      3. プローブテスト
    11. クリーンルーム
      1. 防塵管理
      2. クリーンルームの方式
      3. HEPAフィルター、ULPAフィルターとケミカルフィルター
      4. ミニエンバイロメント方式
    12. 超純水
      1. 超純水とは
      2. 超純水の品質
      3. 超純水製造装置
    13. 真空機器、ガス
      1. 真空ポンプ
      2. 真空計
      3. 真空計と測定領域
      4. ヘリウムリークディクタと四重極質量分析計
      5. ガスボンベの塗色

主催

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お問い合わせ

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受講料

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: 50,000円 (税別) / 55,000円 (税込)
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  • 視聴期間は2024年3月19日〜4月2日を予定しております。
    ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。
本セミナーは終了いたしました。

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