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半導体デバイス入門講座

半導体デバイス入門講座

オンライン 開催

視聴期間は2024年1月24日〜2月7日を予定しております。
お申し込みは2024年2月5日まで承ります。

概要

本セミナーでは、半導体の基礎をはじめ、集積回路の最も基本となるMOSトランジスタの構造から動作原理、微細化と作製方法などを学び、現在・未来の集積化の動向まで分かりやすく解説いたします。

開催日

  • 2024年2月5日(月) 10時30分 2024年2月7日(水) 16時30分

修得知識

  • 半導体物性の基礎
  • MOSトランジスタの構造と動作原理
  • MOSトランジスタの微細化手法
  • MOSトランジスタの作製方法の基礎
  • 近年の微細トランジスタ高性能化技術の概要
  • 今後のMOSトランジスタの発展の方向性

プログラム

 半導体産業は、IT機器を支える基幹産業としてAI/DX社会実現の主導的役割を果たすと考えられるようになり、経済安全保障の観点からも高い注目が集まっている。この半導体集積回路の基本となるデバイスが、MOSトランジスタであることから、その進化の道筋を追うことで、現在および将来の集積回路の方向性を理解することができる。
 本セミナーでは、半導体の基本的性質から始めて、MOSトランジスタの構造と動作原理、微細化の基本的考え方、作製プロセスの基礎、性能向上のための工夫、将来の技術発展の方向性について、最新の研究開発状況にも触れながら、解説する。

  1. 半導体産業の重要性
    1. 半導体の応用分野と将来性
    2. 半導体製品の種類
  2. 半導体の基礎
    1. 半導体の特徴
    2. 半導体中の電気伝導と移動度
    3. n型半導体とp型半導体
    4. pn接合と空乏層
  3. MOSトランジスタの動作原理
    1. MOSトランジスタの動作原理
    2. MOS構造のバンド図
    3. 反転状態と閾値電圧
    4. MOSトランジスタの電流 – 電圧特性
  4. MOSトランジスタを用いた論理計算
  5. MOSトランジスタの微細化とムーアの法則
    1. 集積回路のコンセプトとムーアの法則
    2. MOSトランジスタのスケーリング則
  6. MOSトランジスタの作製方法
  7. MOSトランジスタ微細化の制限要因と改良技術
    1. ゲート絶縁膜の薄膜化限界とhigh k絶縁膜
    2. 短チャネル効果と立体構造トランジスタ
    3. チャネル移動度向上技術
  8. MOSトランジスタ高集積化の現状と今後の動向
    1. テクノロジーノードとロードマップ
    2. 三次元集積化

主催

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お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 50,000円 (税別) / 55,000円 (税込)
複数名
: 25,000円 (税別) / 27,500円 (税込) (案内をご希望の場合に限ります)

案内割引・複数名同時申込割引について

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「案内の希望」をご選択いただいた場合、1名様 45,000円(税別) / 49,500円(税込) で受講いただけます。
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  • R&D支援センターからの案内を希望する方
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
  • R&D支援センターからの案内を希望しない方
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 100,000円(税別) / 110,000円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 150,000円(税別) / 165,000円(税込)

アーカイブ配信セミナー

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  • 視聴期間は2024年1月24日〜2月7日を予定しております。
    ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。
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