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レジストの技術・材料・プロセス・装置の総合知識

レジストの技術・材料・プロセス・装置の総合知識

~基礎とノウハウ、高品位化、最適化、欠陥・トラブル対処法~
オンライン 開催 個別相談付き

概要

本セミナーでは、これからレジスト材料を使用するユーザー、レジスト材料開発、処理装置開発、リソグラフィでトラブルを抱えている方々を対象に、フォトレジスト材料の特性、プロセスの最適化、付着・濡れ・欠陥といった各種トラブルに注目し、評価・解決のアプローチを丁寧に説明いたします。
また、研究開発・トラブルフォローといった実務上での取り組み方について、豊富な実例を交えながら解説いたします。

開催日

  • 2022年7月29日(金) 10時30分 16時30分

修得知識

  • レジスト・リソグラフィの基礎知識
  • レジスト材料の基礎
  • レジスト・リソグラフィにおけるプロセスの最適化、高品位化
  • レジスト・リソグラフィにおけるトラブルの発生メカニズムと対策

プログラム

 現在、レジスト材料は、半導体、ディスプレイ、プリント基板、太陽電池、MEMS等の多くの電子産業分野において、世界市場で実用化されています。その市場規模は、年間1500億円におよび年々拡大しています。その反面、レジスト材料プロセス技術の高度化に伴い、フォトレジストの品質が製品に与える影響も深刻化しています。また、レジストユーザーの要求も幅広くなり、レジスト材料および装置メーカー側は対応に追われる状況です。
 本セミナーでは、レジスト材料開発、およびレジスト処理装置関連の技術者、レジストユーザー、リソグラフィでトラブルを抱えている方々を対象に、フォトレジスト材料の特性、プロセスの最適化、付着・濡れ・欠陥といった各種トラブルに注目し、評価・解決のアプローチを丁寧に説明します。また、研究開発・トラブルフォローといった実務上での取り組み方について、豊富な実例を交えながら解説します。初心者にも分かりやすく、基礎から学べる内容となっています。
 最近の傾向として、レジスト材料メーカーおよび装置メーカーにおいても、デバイス作製のノウハウと知識が求められてきています。レジストユーザーの視点とは何かを講師の経験も含めて詳述します。受講者が抱えている日々のトラブルやノウハウ相談にも個別に応じます。

  1. レジスト材料・プロセス・装置概要
    • 市場競争力
    • デバイス設計
    • シフト量
    • 高品位化
    • ラインマッチング
  2. リソグラフィプロセスの基礎 (これだけは習得しておきたい)
    1. レジスト材料/プロセスの最適化
      • レジスト材料概論
        • i線
        • KrF
        • ArF
        • EUV
      • ドライフィルムレジスト (DFR)
      • プロセスフロー
        • ポジ型/ネガ型の選択基準
        • パターン現像
      • 露光描画技術の最適化
        • 露光システム
          • ステッパー
          • スキャナー
          • EUV
        • レイリーの式
        • 解像力
        • 焦点深度
        • 重ね合わせ技術
      • レジストコントラストで制御する
        • 光学像コントラスト
        • 残膜曲線
        • 溶解コントラスト
        • 現像コントラスト
        • パターン断面形状改善
      • ドライ/ウェットエッチングにおけるレジスト最適化
        • プラズマとは
        • 等方性/異方性エッチング
        • ローディング効果
        • 選択比
        • ウェットエッチング
        • アンダーカット制御
      • めっきマスクとしてのレジスト最適化
        • 電解/無電解めっき
        • 界面浸透性
        • 膜膨れ
      • ソルダーレジストの最適化
        • プリント基板
        • 高周波対応
        • 耐はんだ性
        • 白化
      • レジスト処理装置の最適化
        • HMDS処理
        • コーティング
        • 現像
        • レジスト除去の要点
      • シミュレーション技術 (効果的な技術予測)
        • レジスト形状
        • ノズル塗布
        • スピンコート
        • パターン内3次元応力解析
  3. レジストの付着性解析 (付着エネルギー解析の基礎)
    1. パターン剥離メカニズムとその影響因子とは
      • 付着促進要因と剥離加速要因、検査用パターン
    2. 表面エネルギーの分散・極性成分 (接触角2液法)
    3. ドライ中での付着エネルギーWa (Young-Dupreの式)
    4. ウェット中での拡張エネルギーS
      • Sパラメータ
      • 円モデル
    5. パターン凸部は凹部よりも剥離しやすい
      • アンダーカット形状
      • 応力集中効果
      • 表面硬化層
    6. 乾燥プロセスでのパターン剥離を検証する
      • 毛細管現象
      • パターン間メニスカス
      • エアートンネル
  4. AFMによるレジスト膜の凝集性解析
    1. パターン付着性
      • 直接剥離DPAT法
    2. 表面硬化層/膜内凝集分布
      • インデント法
    3. パターン弾性率測定
      • 探針変形法
  5. レジスト欠陥・トラブル対策 (歩留り向上の最優先対策とは)
    1. 致命欠陥とは
      • 配線上異物
      • ショート欠陥
      • バブル欠陥
      • 塗布ミスト
      • 接触異物
    2. レジスト膜欠陥と対策
      • ストリーエーション
      • 膜分裂 (自己組織化)
      • 乾燥むら
      • ベナールセル
      • 環境応力亀裂
      • ピンホール
      • 膨れ (ブリスター)
      • はじき
    3. レジスト膜内への酸・アルカリ浸透
      • クラウジウス・モソティの式
  6. 参考資料
    • 塗膜トラブルQ&A事例集
      • トラブルの最短解決ノウハウ
      • 表面エネルギーによる濡れ・付着性解析法 (測定方法)
  7. 質疑応答、技術開発および各種トラブル相談
    • 日頃のトラブルサポートなどに個別に応じます

講師

  • 河合 晃
    長岡技術科学大学
    名誉教授

主催

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お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 34,200円 (税別) / 37,620円 (税込)
複数名
: 22,500円 (税別) / 24,750円 (税込)

複数名受講割引

  • 2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 22,500円(税別) / 24,750円(税込) で受講いただけます。
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 34,200円(税別) / 37,620円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 67,500円(税別) / 74,250円(税込)
  • 同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
  • 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
  • 請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
    申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」とご記入ください。
  • 他の割引は併用できません。
  • サイエンス&テクノロジー社の「2名同時申込みで1名分無料」価格を適用しています。

アカデミー割引

教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

  • 1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
  • 企業に属している方(出向または派遣の方も含む)は、対象外です。
  • お申込み者が大学所属名でも企業名義でお支払いの場合、対象外です。

ライブ配信セミナーについて

  • 本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
  • お申し込み前に、 視聴環境テストミーティングへの参加手順 をご確認いただき、 テストミーティング にて動作確認をお願いいたします。
  • 開催日前に、接続先URL、ミーティングID​、パスワードを別途ご連絡いたします。
  • セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
  • セミナー資料は、PDFファイルをダウンロードいただきます。
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  • タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
  • ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
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本セミナーは終了いたしました。