技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
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本セミナーでは、半導体物性及びデバイス特性と、パワーエレクトロニクス回路との特性を「つなぐ」考え方を学びます。パワーデバイスの特性を理解し、サクサクとパワエレ回路を設計したい… 多くの回路設計者がそう思うにもかかわらず、パワーデバイスの基礎である半導体物理について学ぼうとすると難解な理論と数式に阻まれます。また、デバイス特性では、多くの数式が紹介され、式の重要性を見極めるのに苦労し、独学での習得は容易ではありません。
そこで、本講座では、以下の3つのステップを通して、半導体物性、パワーデバイスの特性を理解できるように工夫しています。
実用的な観点から、パワーエレクトロニクス回路で多用されているダイオード、IGBT、MOSFETの3種類について特に詳しく説明します。また、最近注目されているSiCやGaNといったワイドギャップ半導体については、耐圧と温度特性のメリットを具体的数値例で理解します。さらに、安定動作に欠かせないドライブ回路、発熱による損傷などのトラブル防止や回避策についても紹介します。
開始日時 | 会場 | 開催方法 | |
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発行年月 | |
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2013/4/15 | リチウムイオン電池 製品・材料・用途別トレンド 2013 |
2013/2/10 | 酸化物半導体 技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版) |
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2012/10/30 | SiCパワーデバイスの開発と最新動向 |
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2012/6/15 | 半導体・液晶パネル製造装置9社 技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版) |
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