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SiCパワーデバイスの活用に向けた駆動回路、評価技術

SiCパワーデバイスの活用に向けた駆動回路、評価技術

東京都 開催 会場 開催
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概要

本セミナーでは、SiCパワーデバイスについて基礎から解説し、高速なスイッチング速度への対応、使いこなしのコツや対策事例を詳解いたします。

開催日

  • 2020年6月24日(水) 10時00分 ～ 17時10分

プログラム

第1部 SiC-MOSFETパワーデバイスの駆動手法とインバータ応用、評価

(10:00～12:00、13:00～16:00)

　SiCがシリコンよりも優れていると紹介されてから久しくなりますが、その実用化はなかなか進んでいません。原因は、その価格にあると思われますが、量産が出来るようになればその価格は低下します。単純にIGBTからSiC-MOSFETに置き換えが出来ると期待されていますが、現実にはMOSFETであるがための問題点、高速であるが為の問題点があります。
　本講座にて、SiC-MOSFETの問題点及び対策を理解し、受講者の皆様に是非SiC-MOSFETを活用して頂きたいと思います。皆で使えば安くなる。私はそう信じています。

  1. メーカによるSiC-MOSFETの違い
  2. MOSFETの駆動回路による違い
  3. SiC-MOSFET (ディスクリート) の評価事例紹介
  4. SiC-MOSFET (モジュール) の評価事例紹介
  5. その他 (供給メーカとラインアップ)
  6. Q&A
    • 質疑応答

第2部 SiCデバイスの使用法と応用例

(16:10〜17:10)

　SiCデバイスを使いこなすためには、従来のSiデバイスからの単なる置き換えだけでは性能を引き出すことができない。SiCデバイスの特性を把握した上で、最適な周辺回路を設計することが必要となる。
　本講演ではSiCデバイスの使用上の注意点や、SiCデバイスメーカーだからできる応用技術の開発事例について主に紹介する。また既にSiCデバイスを使用している方から、これから検討を始める方まで、SiCの使いこなし方について参考になる情報が提供できると考えている。

  1. SiCデバイスの開発動向
  2. SiCデバイス使用上の注意点
  3. SiCデバイス用高速ゲート駆動回路
  4. 開発事例紹介
    1. インバータ
    2. 絶縁DC-DCコンバータ
    • 質疑応答
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講師

  • 間瀬 勝好 氏
    株式会社エヌソルーション
    社長
  • 大河内 裕太 氏
    ローム株式会社 研究開発センター 基幹技術研究開発部 大電力応用技術グループ
    グループリーダー
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会場

株式会社 技術情報協会
東京都 品川区 西五反田2-29-5 日幸五反田ビル8F
株式会社 技術情報協会の地図
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主催

株式会社 技術情報協会
お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 55,000円 (税別) / 60,500円 (税込)
複数名
: 50,000円 (税別) / 55,000円 (税込)

複数名同時受講割引について

  • 2名様以上でお申込みの場合、
    1名あたり 50,000円(税別) / 55,000円(税込) で受講いただけます。
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 55,000円(税別) / 60,500円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 100,000円(税別) / 110,000円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 150,000円(税別) / 165,000円(税込)
  • 同一法人内による複数名同時申込みのみ適用いたします。
  • 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
  • 他の割引は併用できません。

アカデミック割引

  • 1名様あたり 30,000円(税別) / 33,000円(税込)

学校教育法にて規定された国、地方公共団体、および学校法人格を有する大学、大学院の教員、学生に限ります。

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