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原子層制御プロセスの原理・最適設計および最新動向

原子層制御プロセスの原理・最適設計および最新動向

~反応機構、プロセス最適化、薄膜作製、エッチング~
東京都 開催 会場 開催

概要

本セミナーでは、原子層制御プロセスの基礎から解説し、原料供給・パージ・反応性ガス供給など多くの制御パラメータの最適化や、ALDプロセスを活用した最新の応用事例を詳解いたします。

開催日

  • 2019年12月20日(金) 10時00分 17時00分

受講対象者

  • 原子層エッチングに関連する技術者
    • 高誘電膜
    • 機能性膜
    • 電極
    • バリアメタル
    • 絶縁膜
    • 化合物半導体
    • リチウム電池 など

修得知識

  • 原子層制御プロセス (ALP、Atomic Layer Process)
    • 原子層成長 (ALD、Atomic Layer Deposition)
    • 原子層エッチング (ALE、Atomic Layer Etching)
    • これらを組み合わせた高度な選択成長技術 (Selective Area ALD)
  • 反応機構などの原理に基いたプロセスの最適化手法

プログラム

 原子層成長 (ALD) プロセスは、半導体集積回路用薄膜の作製などに実用化され、その応用範囲が拡大している。また、近年は1原子層ずつ表面をエッチングするALEにも関心が高まっている。これらを組み合わせた選択成長技術は、プロセス工数の削減などに有益であると期待されている。一方、ALDは類似の薄膜作製プロセスであるCVD (Chemical Vapor Deposition) と比べると、ガス濃度や反応温度の他に、ガス供給切替シーケンスの最適化など、制御パラメータが多く、どのようにプロセスを最適化するかが難しくなっている。
 本講座では、ALDとALEを併せて原子層制御プロセス (ALP) と総称し、その原理から最適化に至るまでのプロセスサイエンスの概論を述べるとともに、最新の技術動向なども紹介する。

  1. 薄膜作製の基礎
    1. 薄膜作製プロセス概論
    2. 真空の基礎知識と薄膜形成基礎
    3. CVD/ALD/ALEプロセスの原理・応用・歴史的展開
  2. CVD/ALDプロセスの反応機構と速度論
    1. CVD/ALDプロセス入門
    2. CVD/ALDプロセス速度論
    3. 反応機構解析手法
  3. ALD/ALEプロセスの基礎と応用
    1. ALD/ALEプロセスの基本特性
    2. ALDプロセスの理想と現実
    3. ALDプロセスの応用展開
    4. ALEを活用した選択成長
    • 質疑応答

講師

  • 霜垣 幸浩
    東京大学 大学院 工学系研究科 マテリアル工学専攻
    教授

会場

株式会社 技術情報協会
東京都 品川区 西五反田2-29-5 日幸五反田ビル8F
株式会社 技術情報協会の地図

主催

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お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 50,000円 (税別) / 55,000円 (税込)
複数名
: 45,000円 (税別) / 49,500円 (税込)

複数名同時受講割引について

  • 2名様以上でお申込みの場合、
    1名あたり 45,000円(税別) / 49,500円(税込) で受講いただけます。
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 90,000円(税別) / 99,000円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 135,000円(税別) / 148,500円(税込)
  • 同一法人内による複数名同時申込みのみ適用いたします。
  • 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
  • 他の割引は併用できません。
本セミナーは終了いたしました。

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