技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
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本セミナーでは、理論的に最も高耐圧かつ低オン抵抗を実現できる究極のパワーデバイス材料として注目されるダイヤモンド半導体について基礎から解説いたします。
ダイヤモンドパワーデバイスの研究開発状況・課題と、講師が世界で初めて実現した反転層ダイヤモンドMOSFETについて合わせて解説いたします。
ダイヤモンドは、その見た目の美しさから宝石としてはもちろんのこと、物質中最高の硬度や熱伝導率を有することから切削工具やヒートシンクとしても広く知られており、近年では航空機等にも用いられている炭素繊維強化プラスチック (CFRP) 用の加工工具やパワーデバイス用のヒートスプレッダ/ヒートシンク材として期待されている。一方で、ダイヤモンドは絶縁破壊電界やキャリア移動度も極めて高いことから、理論的に最も高耐圧かつ低オン抵抗を実現できる究極のパワーデバイス材料であり、日本やフランス、ドイツ、アメリカを中心にパワーデバイス応用・社会実装に向けた研究が行われている。
今回、ダイヤモンドパワーデバイスに関して、昨今の研究開発状況・課題について、また、我々が世界で初めて実現した反転層ダイヤモンドMOSFETについても合わせて紹介する。
開始日時 | 会場 | 開催方法 | |
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2024/6/24 | ALD (原子層堆積) / ALE (原子層エッチング) 技術の基礎と応用 | オンライン | |
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2024/6/27 | 半導体製造用ガスの技術動向と流量制御、汚染管理 | オンライン | |
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2024/7/1 | SiCパワー半導体開発とSiC単結晶ウェハ製造プロセスの最新動向 | オンライン |
発行年月 | |
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2010/5/14 | SiCパワーデバイス最新技術 |
2009/4/17 | '09 ノイズ対策関連市場の将来展望 |
2008/9/1 | 半導体製造用炭化ケイ素 技術開発実態分析調査報告書 |
2008/9/1 | 半導体製造用炭化ケイ素 技術開発実態分析調査報告書 (PDF版) |
2002/6/12 | RF CMOS回路設計技術 |
1999/10/29 | DRAM混載システムLSI技術 |
1992/11/11 | VLSI試験/故障解析技術 |
1990/6/1 | LSI周辺金属材料・技術 |
1988/10/1 | 高密度表面実装 (SMT) におけるLSIパッケージング技術 |
1988/2/1 | 半導体の故障モードと加速試験 |
1985/12/1 | アナログIC/LSIパターン設計 (Ⅰ) |
1985/11/1 | アナログIC/LSIパターン設計 (Ⅱ) |