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プラズマ生成の基礎とプラズマCVD (化学気相堆積) による高品質成膜プロセスのノウハウ
プラズマ生成の基礎とプラズマCVD (化学気相堆積) による高品質成膜プロセスのノウハウ
～プラズマCVDによって高品質膜を得ようとした際の意思決定に関わる物理的・化学的なメカニズム～
東京都 開催
会場 開催
本セミナーは終了いたしました。
開催日
- 2019年5月17日(金) 10時30分 ～ 16時30分
受講対象者
- プラズマCVDの応用分野の技術者、研究者
- 太陽光発電
- ハイバリア成膜
- 親水・撥水
- ディスプレイ
- 集積回路
- ミニマルファブなど
修得知識
- 高品質膜を得ようとした際の物理的・化学的なメカニズム
- 高品質なプラズマCVD膜を得るためのノウハウ
- プラズマ源の選定、装置設定、現象
- ハイバリア成膜、親水・撥水、ディスプレイ、集積回路などの応用
プログラム
産業界で高品質なプラズマCVD膜の得るための仕事に従事する方々は、プラズマ源の選定から装置パラメータの設定に至る意思決定をする立場にあると思います。この意思決定を適切に行うためには、各種のプラズマ源の特徴を把握しておく必要があります。
また、そのプラズマ源を用いたリアクター内で起こる物理・化学的現象が、各種パラメータを変えるとどうなるのか、更にそれが膜質にどのように反映されるのかを把握しておく必要があります。
本講座では、プラズマCVDによって高品質膜を得ようとした際の意思決定に関わる物理的・化学的なメカニズムを理解して頂くことを趣旨としました。
- プラズマと気体放電の基礎
- プラズマの温度
- 低温大気圧プラズマはどうしてできるのか?
- 壁との境界「シース」
- プロセスでは表面近傍の理解が大切!
- Townsendの放電理論とPaschenの法則
- そもそも放電しないと話にならない!
- プラズマの温度
- プラズマ源
- DC放電プラズマとシース
- プラズマ中の電位構造の理解がイオン衝撃の理解に繋がる!
- RF放電プラズマの基礎と装置構造
- 電極非対象とコンデンサの効能
- 高密度プラズマ源は何故高密度か?
- 電子の直進か回転かが密度の決め手!
- DC放電プラズマとシース
- プラズマ化学工学
- 制御パラメータと内部パラメータ
- 操作できるのは何か、実際には何が変わるのか?
- 電子の分布関数
- 電子のエネルギーは数十eVまで拡がる!
- 一次反応
- 電子衝突解離で何ができるのか? それは制御可能なのか?
- 二次反応
- 電子衝突解離で何が生成されるかが関係無い、ということもある!
- 輸送過程
- 通常は拡散だが、イオンのドリフトを使うとイオン衝撃効果援用
- 表面反応過程
- 表面で動くことの重要性。それを制御するパラメータは?
- 制御パラメータと内部パラメータ
- 薄膜堆積プロセス
- 膜構造形成過程の基本的描像
- この描像をまずもつべし!
- 電子材料としての膜構造
- 欠陥とは何か? 何故形成されるのか?
- スパッタ成膜とその特徴
- スパッタで出来ないことやるのがCVD
- プラズマCVDとその特徴
- では、CVDでは何ができるのか?
- a – Si:H成膜過程と物性
- 最も良く理解されている描像
- イオン衝撃の効能
- 制御によって毒にも薬にもなる
- 機能基の含有
- 電子エネルギー分布の制御と二次反応の賜物
- 膜構造形成過程の基本的描像
- 質疑応答・名刺交換
講師
会場
主催
お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。
受講料
1名様
:
42,750円 (税別) / 46,170円 (税込)
複数名
:
22,500円 (税別) / 24,300円 (税込)
複数名同時受講の割引特典について
- 2名様以上でお申込みの場合、
1名あたり 22,500円(税別) / 24,300円(税込) で受講いただけます。- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 42,750円(税別) / 46,170円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 45,000円(税別) / 48,600円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 67,500円(税別) / 72,900円(税込)
- 受講者全員が会員登録をしていただいた場合に限ります。
- 同一法人内(グループ会社でも可)による複数名同時申込みのみ適用いたします。
- 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
- 請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。 - 他の割引は併用できません。
本セミナーは終了いたしました。
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