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高輝度・高解像度マイクロLEDディスプレイに向けたGaN

高輝度・高解像度マイクロLEDディスプレイに向けたGaN

~マイクロLED開発の現状と課題~
東京都 開催

開催日

  • 2018年10月25日(木) 13時30分 16時30分

受講対象者

  • 半導体マイクロLEDに興味を持つ研究者、技術者

修得知識

  • マイクロLEDの基礎知識
  • 高輝度・高解像度のマイクロLEDディスプレイの実現に必要な結晶成長技術
  • デバイスプロセス技術
  • 実装技術についての知識

プログラム

 半導体、特に窒化物半導体マイクロLEDは、次世代のウェアラブル型情報機器のための低消費電力、高輝度、高解像度のディスプレイとして期待されている。しかし、マイクロLEDの実現のためには、多くの技術的課題を解決しなければならない。
 本セミナーでは、マイクロLEDディスプレイの実現に解決しなければならない課題を整理するとともに、これらの課題の解決に有望な技術について解説する。

  1. 背景:マイクロLEDの特徴、アプリケーション
  2. 現在のマイクロLED技術の課題と開発の状況
    1. チップサイズ縮小に伴う諸問題
      • 内部量子効率の低下
      • 光取出し効率
      • 配光制御 (指向性)
    2. 低コスト、高速実装問題
    3. 赤色波長帯における効率低下
    4. 緑・赤色チップの波長シフト問題
  3. エバネッセント光の結合効果を利用した指向性マイクロLED
    1. エバネッセント光の結合効果
    2. 指向性マイクロLEDの提案
    3. InGaAs/GaAsリッジ型LEDによる実証
  4. GaN指向性マイクロLEDの理論的検討
    1. 構造の最適化、発光効率 (光取出し効率) の見積
    2. ディスプレイ輝度の試算
    3. RGBモノリシック集積の可能性
  5. GaN指向性マイクロLEDの実現に向けて
    1. 選択成長方式
    2. トップダウン方式、低損傷プラズマエッチング技術
    3. 準大気圧プラズマMOCVDによる高効率赤色LED実現の可能性
  6. まとめ

講師

  • 王 学論
    国立研究開発法人 産業技術総合研究所 窒化物半導体先進デバイスオープンイノベーションラボラトリ GaN光デバイスチーム
    研究チーム長

会場

ちよだプラットフォームスクウェア

ミーティングルーム 5F 503

東京都 千代田区 神田錦町3-21
ちよだプラットフォームスクウェアの地図

主催

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お問い合わせ

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(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 45,370円 (税別) / 49,000円 (税込)
複数名
: 20,370円 (税別) / 22,000円 (税込)

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  • Eメール案内を希望しない方
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 45,370円(税別) / 49,000円(税込)
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    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 136,111円(税別) / 147,000円(税込)

アカデミック割引

  • 1名様あたり 23,148円(税別) / 25,000円(税込)

学校教育法にて規定された国、地方公共団体、および学校法人格を有する大学、大学院の教員、学生に限ります。

本セミナーは終了いたしました。

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