技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
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本セミナーでは、SiC、GaNと比較して高耐圧・低消費電力、低コスト化が期待される酸化ガリウムパワーデバイスについて、その材料とデバイスの基礎から最先端の開発状況を、当該技術を主導する2名の講師が解説いたします。
SiC、GaNと比較して高耐圧・低消費電力、低コスト化が期待される酸化ガリウムパワーデバイスについて、その材料とデバイスの基礎から最先端の開発状況を、当該技術を主導する2名の講師が解説します。
(2017年12月8日 12:30~15:30)
酸化ガリウム (Ga2O3) は、次世代パワーデバイス用途の新半導体材料として期待されるに足る、優れた材料物性を有する。また、原理的に大口径かつ高品質な単結晶基板を、融液成長法により安価かつ簡便に作製することができるという、産業上の大きな魅力も合わせ持つ。
本講演では、Ga2O3パワーデバイスの位置づけ、魅力、現在までの研究開発状況、課題などについて解説する。
(2017年12月8日 15:40~16:40)
本講座は、新しいパワーデバイス材料として注目を浴びている酸化ガリウム、特に最近目覚ましく開発が進んでいるα-Ga2O3の物性とデバイス開発について講義する。α-Ga2O3 SBDは世界最小のオン抵抗値を示すだけでなく、デバイス作製のコストがSi SBD並みに低い。さらにp型半導体α-Ir2O3と良好な半導体接合を形成出来、次世代のバイポーラトランジスタとしても大変ホットな材料である。
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