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CMP技術の基礎
CMP技術の基礎
～スラリー、パッドの役割と材料除去メカニズム～
愛知県 開催
会場 開催
本セミナーは終了いたしました。
概要
本セミナーでは、CMPについて解説し、シリコン、サファイア、SiC、GaN、LT/NTなどの基板のCMPの現状と将来の方向性について詳解いたします。
開催日
- 2017年9月8日(金) 13時00分 ～ 16時30分
プログラム
CMPがデバイスの製造工程に用いられるようになって、すでに四半世紀が経過した。当初はゲテモノ扱いされていたCMPも今やなくてはならないキープロセスとなっている。半導体デバイス製造における様々なCMP工程の特徴を紹介し、それに用いられるスラリー、パッドの詳細を解説する。さらに、CMPによる材料除去のメカニズムを理解することにより、パッドやスラリーのあるべき姿を考察する。シリコン、サファイア、SiC、GaN、LT/NTなどの基板のCMPについてもその現状と、将来の方向性について言及する。
- CMPの基礎
- CMP平坦化工程の分類
- ILD
- Wプラグ
- STI、Cuダマシン
- 平坦化メカニズム
- グローバル平坦化
- ローカル平坦化
- 最新のCMP応用工程
- highkメタルゲート
- FinFet
- 各種スラリーの基礎
- 砥粒の種類～アルミナ、シリカ、セリア、無砥粒
- 工程別スラリーの特徴
- STI Wプラグ Cu/バリア
- 各種研磨パッドの基礎
- 研磨パッドの種類
- パッド物性と研磨特性の関係
- パッド解析手法
- 各種基板のCMP
- Si
- サファイア
- SiC
- GaN
- LT/LN
- CMPの材料除去メカニズム
- 研磨メカニズムモデルの歴史
- Feret径モデル
- Feret径モデルの数値計算による妥当性検証
- モデルに基づく開発のヒント
- まとめ
- 質疑応答
講師
会場
主催
お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。
受講料
1名様
:
38,000円 (税別) / 41,040円 (税込)
複数名
:
20,000円 (税別) / 21,600円 (税込)
複数名同時受講の割引特典について
- 2名様以上でお申込みの場合、
1名あたり 20,000円(税別) / 21,600円(税込) で受講いただけます。- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 38,000円(税別) / 41,040円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 40,000円(税別) / 43,200円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 60,000円(税別) / 64,800円(税込)
- 受講者全員が会員登録をしていただいた場合に限ります。
- 同一法人内(グループ会社でも可)による複数名同時申込みのみ適用いたします。
- 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
- 請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。 - 他の割引は併用できません。
本セミナーは終了いたしました。
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関連する出版物
| 発行年月 | |
|---|---|
| 1985/11/1 | アナログIC/LSIパターン設計 (Ⅱ) |