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CMP技術の基礎

CMP技術の基礎

～スラリー、パッドの役割と材料除去メカニズム～
愛知県 開催 会場 開催
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概要

本セミナーでは、CMPについて解説し、シリコン、サファイア、SiC、GaN、LT/NTなどの基板のCMPの現状と将来の方向性について詳解いたします。

開催日

  • 2017年9月8日(金) 13時00分 ～ 16時30分

プログラム

　CMPがデバイスの製造工程に用いられるようになって、すでに四半世紀が経過した。当初はゲテモノ扱いされていたCMPも今やなくてはならないキープロセスとなっている。半導体デバイス製造における様々なCMP工程の特徴を紹介し、それに用いられるスラリー、パッドの詳細を解説する。さらに、CMPによる材料除去のメカニズムを理解することにより、パッドやスラリーのあるべき姿を考察する。シリコン、サファイア、SiC、GaN、LT/NTなどの基板のCMPについてもその現状と、将来の方向性について言及する。

  1. CMPの基礎
    1. CMP平坦化工程の分類
    2. ILD
    3. Wプラグ
    4. STI、Cuダマシン
    5. 平坦化メカニズム
    6. グローバル平坦化
    7. ローカル平坦化
    8. 最新のCMP応用工程
    9. highkメタルゲート
    10. FinFet
    11. 各種スラリーの基礎
    12. 砥粒の種類～アルミナ、シリカ、セリア、無砥粒
    13. 工程別スラリーの特徴
    14. STI Wプラグ Cu/バリア
    15. 各種研磨パッドの基礎
    16. 研磨パッドの種類
    17. パッド物性と研磨特性の関係
    18. パッド解析手法
  2. 各種基板のCMP
    1. Si
    2. サファイア
    3. SiC
    4. GaN
    5. LT/LN
  3. CMPの材料除去メカニズム
    1. 研磨メカニズムモデルの歴史
    2. Feret径モデル
    3. Feret径モデルの数値計算による妥当性検証
    4. モデルに基づく開発のヒント
  4. まとめ
    • 質疑応答
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講師

  • 礒部 晶 氏
    株式会社 ISTL
    代表取締役
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会場

愛知県産業労働センター ウインクあいち

12F 1209

愛知県 名古屋市中村区 名駅4丁目4-38
愛知県産業労働センター ウインクあいちの地図
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主催

サイエンス＆テクノロジー 株式会社
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お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 38,000円 (税別) / 41,040円 (税込)
複数名
: 20,000円 (税別) / 21,600円 (税込)

複数名同時受講の割引特典について

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    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 60,000円(税別) / 64,800円(税込)
  • 受講者全員が会員登録をしていただいた場合に限ります。
  • 同一法人内(グループ会社でも可)による複数名同時申込みのみ適用いたします。
  • 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
  • 請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
    申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。
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