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CIGS太陽電池の基本・作製・高効率化設計・評価技術
CIGS太陽電池の基本・作製・高効率化設計・評価技術
大阪府 開催
会場 開催
本セミナーは終了いたしました。
概要
本セミナーでは、CIGSの基礎物性、セル化する際の成膜プロセス、高効率化設計、CdSを用いないバッファ層の設計、基本的なセル評価技術、面内分布評価技術、さらにフレキシブルCIGS太陽電池の可能性や最新の高効率化技術の動向について詳しく解説いたします。
開催日
- 2012年6月12日(火) 12時30分 ～ 16時30分
受講対象者
- CIGS太陽電池に関連する技術者、研究者、作製・評価担当者
修得知識
- CIGSの基礎物性
- セル化する際の成膜プロセス
- 高効率化設計
- CdSを用いないバッファ層の設計
- 基本的なセル評価技術
- 面内分布評価技術
- フレキシブルCIGS太陽電池の可能性
- 最新の高効率化技術の動向
プログラム
Cu (In,Ga) Se2 (CIGS) の物性から太陽電池デバイス作製技術、その評価方法まで広く解説する。
太陽電池材料全体から見たときのCIGSの位置づけ、CIGSの基礎物性、太陽電池セル化する際の成膜プロセス、CIGS太陽電池各層が高効率化に果たす役割、CIGS太陽電池の高効率化設計、CdSを用いないバッファ層の設計、CIGS太陽電池の基本的なセル評価技術、モジュール化の際に必要となる面内分布評価技術、さらにフレキシブルCIGS太陽電池の可能性や最新の高効率化技術の動向についても触れる。
- CIGS太陽電池の基本と作製技術 (2012年6月12日 12:30〜13:40)
- 太陽電池全体から見たCIGS太陽電池
- 太陽電池材料の種類
- 各種太陽電池の変換効率の推移
- 太陽電池別生産量
- 他の太陽電池との構造比較
- 太陽電池の基本構造
- 材料の選定
- デバイス構造
- 各種太陽電池との比較
- CIGSの物性
- 元素の組み合わせ
- 結晶構造
- 太陽電池としての利点
- バンドギャップ
- 光吸収係数
- 真性欠陥の種類
- CIGS太陽電池の作製法と各層の役割
- 基本の動作
- 高効率化プロセスまとめ
- 青板ガラスの役割
- Mo裏面電極
- その他の裏面電極
- CIS層の各種成膜法 (蒸着法、スパッタ法、電着法、印刷法)
- CdSバッファ層の溶液成長
- 窓層ZnOの利点
- 透明電極
- 集積化プロセス
- 面積と変換効率
- 太陽電池全体から見たCIGS太陽電池
- フレキシブルCIGS太陽電池と必要とされる要素技術 (2012年6月12日 13:50〜15:00)
- 導入
- 現状の各社の生産量と基板材料
- ガラス上のCIGS太陽電池
- 効率の変遷
- 現状のベストセル
- 構造
- フレキシブル基板上のCIGS太陽電池
- フレキシブル化の際の注意点・利点
- ステンレス上、ポリイミド上のCIGS太陽電池
- Na添加方法
- ドライ成膜のバッファ層
- 導入
- CIGS太陽電池の評価技術と更なる高効率化技術の動向 (2012年6月12日 15:10〜16:10)
- 空間分解能無し −各評価法の役割−
- 電流-電圧特性 (IV)
- 太陽電池性能パラメータ
- 装置構成例
- ダイオードパラメータ
- 標準試験条件
- ソーラーシミュレータ
- 温度係数
- 各種太陽電池との比較
- 量子効率測定 (QE)
- 定義
- 装置構成例
- 各種太陽電池との比較
- バイアス印加QEによるCIGS層品質評価
- 容量-電圧法 (CV)
- キャリア密度の測定法
- バイアス印加方向による欠陥評価
- ホール効果との違い
- 電流-電圧特性 (IV)
- 空間分解能あり
−各評価法の比較 (プローブの有無、時間、測定試料、見れるもの、分解能、導入価格目安) −- 時間分解フォトルミネッセンス (TRPL)
- 原理
- 装置構成例
- 測定例
- フォトルミネッセンスイメージング (PL imaging)
- 装置構成例
- 波長分解による各層の測定
- 測定例
- エレクトロルミネッセンスイメージング (EL imaging)
- 原理
- 装置構成例
- 測定例
- レーザービーム誘起電流法 (LBIC)
- 原理
- 装置構成例
- 測定例
- 波長分解測定の例
- 電子ビーム誘起電流法 (EBIC)
- 原理
- 表面測定
- 断面測定
- 電子後方散乱回折像法 (EBSD)
- 原理
- 測定例
- 時間分解フォトルミネッセンス (TRPL)
- 最近の研究開発トピックス
- Al添加の新材料
- 脱In・脱Seの新材料
- 空間分解能無し −各評価法の役割−
- 質疑応答・名刺交換・個別相談
会場
主催
お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。
受講料
1名様
:
47,600円 (税別) / 49,980円 (税込)
割引特典について
- R&D支援センターからの案内登録をご希望の方は、割引特典を受けられます。
- 1名でお申込みいただいた場合、1名につき47,250円 (税込)
- 2名同時にお申し込みいただいた場合、2名で49,980円 (税込)
- 案内登録をされない方は、1名につき49,980円 (税込)
本セミナーは終了いたしました。
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