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CVDリアクタのノンプラズマクリーニング技術

CVDリアクタのノンプラズマクリーニング技術

東京都 開催 会場 開催
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概要

本セミナーでは、CVDプロセスの基礎から解説し、リアクタクリーニングの技術・プロセスについて整理する貴重なセミナーです。

開催日

  • 2011年12月13日(火) 13時00分 ～ 16時30分

受講対象者

  • PVD, CVDに関連する技術者
    • 金型
    • 工具類
    • 摺動部品
    • 光学部品
    • 電子機器・電子デバイス
    • 装身具
    • スポーツ用品
    • 磁気デバイス
    • 磁気センサ
    • 精密機械部品
    • ロール
    • 真空機器部品
    • 機械要素 (ねじ、ナット類)
    • シリンダー・ライナー類
    • シール
    • 金属製品製造業
    • 機械部品製造業
    • 自動車部品製造業
    • 金属表面処理業などの機械系技術者、材料系技術者
    • 表面処理技術者など
  • CVDリアクタのクリーニングに関連する技術者、品質担当者、メンテナンス担当者
  • CVDプロセスに関連する技術者、品質保証担当者、メンテナンス担当者

修得知識

  • CVDプロセスの基礎
  • CVDリアクタクリーニングの基礎
  • CVD装置クリーニングの実際

プログラム

  1. 成膜とクリーニング
    1. CVDプロセスの概要 (理想的CVDリアクタの条件)
    2. CVDプロセス・装置の課題 (リアクタクリーニングに求められる条件)
    3. リアクタ内堆積物 (サセプタ、反応容器) と発生する問題
    4. 排ガス管内堆積物 (油状、粉末状) と事故の例 (含、リアクタ内の反応設計)
    5. CVDリアクタクリーニング法
    6. ノンプラズマクリーニングに用いられるガスの性質
      • 基本物性
      • 反応性
      • 取扱
  2. シリコンCVD装置クリーニング (1) (HCl)
    • 化学反応とエッチング速度の挙動、反応速度定数
    • エッチング中の表面形態
  3. シリコンCVD装置クリーニング (2) (ClF3)
    • 化学反応とエッチング速度の挙動、反応速度定数
    • エッチング中の表面形態
  4. 炭化珪素堆積膜除去技術 (ClF3)
    • 化学反応とエッチング速度、反応速度定数
    • エッチング中の表面形態
  5. 酸化ハフニウム堆積膜除去技術 (HCl)
    • 化学反応、粉末と薄膜のエッチング速度
  6. その他の反応性ガス
  7. まとめ
  • 質疑応答・名刺交換
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講師

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会場

品川区立総合区民会館 きゅりあん

5階 第3講習室

東京都 品川区 東大井5丁目18-1
品川区立総合区民会館 きゅりあんの地図
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主催

サイエンス＆テクノロジー 株式会社
お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 40,000円 (税別) / 42,000円 (税込)
複数名
: 33,000円 (税別) / 34,650円 (税込)

複数名同時受講の割引特典について

  • 2名で参加の場合、1名につき 7,350円割引
  • 3名で参加の場合、1名につき 10,500円割引 (同一法人に限ります)
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