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パワーデバイスの最新開発動向と今後の展望

パワーデバイスの最新開発動向と今後の展望

東京都 開催 会場 開催
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概要

本セミナーでは、パワーデバイスの基礎から解説し、IGBT、SiCパワーデバイス、GaNパワーデバイスの現状と課題、最新トピックスまで学会発表などをまとめて詳解いたします。

開催日

  • 2011年5月25日(水) 10時30分 ～ 16時30分

受講対象者

  • パワーデバイスの技術者
  • IGBT、SiCパワーデバイス、GaNパワーデバイスの現状と課題、最新技術動向を把握したい方

修得知識

  • パワーデバイスの市場動向
  • IGBTの基礎、最新技術動向
  • 次世代IGBT (RB-IGBT, RC-IGBT)の基礎
  • SiCパワーデバイス・GaNパワーデバイスの現状と課題、最新技術動向

プログラム

  1. パワーデバイスの現状
    • パワーデバイスの市場動向、市場要求
  2. IGBTの進展
    1. なぜIGBTがパワーデバイスの主役になったのか
    2. IGBT開発の歴史
    3. IGBT最新技術動向
    4. 次世代IGBTについて
      • RB-IGBT,RC-IGBTとは何か?
  3. SiCパワーデバイスの現状と課題
    1. なぜSiCが注目されているのか
      • SiCの特徴は?
      • MOSFETがいいのか、IGBTがいいのか?
      • SiCパワーデバイスの開発 (最近のトピックスから)
        • 最新学会発表論文、新聞記事の紹介
      • SiCモジュールの課題
        • 実用化を妨げる問題は何か?
  4. GaNパワーデバイスの現状と課題
    1. なぜGaNが注目されているのか
    2. GaNパワーデバイスの開発 (最近のトピックスから)
      • 最新学会発表論文、新聞記事の紹介
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講師

  • 岩室 憲幸 氏
    筑波大学 数理物質系 物理工学域
    教授
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会場

株式会社オーム社 オームセミナー室
東京都 千代田区 神田錦町3-1
株式会社オーム社 オームセミナー室の地図
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主催

株式会社 トリケップス
お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 43,000円 (税別) / 45,150円 (税込)
1口
: 55,000円 (税別) / 57,750円 (税込) (3名まで受講可)

割引特典について

  • 複数名 同時受講:
    1口 57,750円(税込) (3名まで受講可能)
  • 早期申込割引:
    2011年4月25日 17:00までのお申込は、
    1名受講・1口受講とともに受講料から10%割引となります。
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