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SiCパワー素子に対応したインバータ回路設計の基礎
SiCパワー素子に対応したインバータ回路設計の基礎
～パワーエレクトロニクスの「これから」を掴む～
東京都 開催
会場 開催
本セミナーは終了いたしました。
概要
本セミナーでは、実用化が進むSiCパワーデバイスを使いこなすための素子の特性、ノイズ対策例に触れながら、インバータ回路設計の基礎を徹底解説いたします。
開催日
- 2012年11月19日(月) 10時30分 ～ 16時30分
受講対象者
- インバータ回路設計に関連する技術者
修得知識
- SiCインバータの基礎
- SiCインバータの構成法
プログラム
近年,SiCやGaNなど次世代パワーデバイスは,研究段階から実用段階へ突入した。数10Aクラスのデバイスは,かなりの個数がサンプル出荷され,モータドライブなどのアプリケーションエンジニアの手で評価されつつある。
本セミナでは,市販1200V33A SiC-MOSFET をベースにした三相200V5kVAのインバータの諸特性として,パワーデバイスの動特性やゲートドライブおよび主回路構成から,効率特性,EMIノイズ特性,および,ノイズ対策例まで横断的に解説する。
- SiCインバータの基礎特性
- SiCデバイスの特性
- スイッチング特性
- 効率特性
- EMIノイズ特性
- SiCインバータの構成法
- ゲートドライブの構成
- 主回路の構成
- EMIノイズ対策
- 質疑応答
講師
会場
主催
お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。
受講料
1名様
:
42,667円 (税別) / 44,800円 (税込)
複数名
:
35,667円 (税別) / 37,450円 (税込)
複数名同時受講の割引特典について
- 2名で参加の場合、1名につき 7,350円割引
- 3名で参加の場合、1名につき 10,500円割引 (同一法人に限ります)
本セミナーは終了いたしました。
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