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SiCパワー素子に対応したインバータ回路設計の基礎

SiCパワー素子に対応したインバータ回路設計の基礎

～パワーエレクトロニクスの「これから」を掴む～
東京都 開催 会場 開催
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概要

本セミナーでは、実用化が進むSiCパワーデバイスを使いこなすための素子の特性、ノイズ対策例に触れながら、インバータ回路設計の基礎を徹底解説いたします。

開催日

  • 2012年11月19日(月) 10時30分 ～ 16時30分

受講対象者

  • インバータ回路設計に関連する技術者

修得知識

  • SiCインバータの基礎
  • SiCインバータの構成法

プログラム

　近年,SiCやGaNなど次世代パワーデバイスは,研究段階から実用段階へ突入した。数10Aクラスのデバイスは,かなりの個数がサンプル出荷され,モータドライブなどのアプリケーションエンジニアの手で評価されつつある。
　本セミナでは,市販1200V33A SiC-MOSFET をベースにした三相200V5kVAのインバータの諸特性として,パワーデバイスの動特性やゲートドライブおよび主回路構成から,効率特性,EMIノイズ特性,および,ノイズ対策例まで横断的に解説する。

  1. SiCインバータの基礎特性
    1. SiCデバイスの特性
    2. スイッチング特性
    3. 効率特性
    4. EMIノイズ特性
  2. SiCインバータの構成法
    1. ゲートドライブの構成
    2. 主回路の構成
    3. EMIノイズ対策

  • 質疑応答
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講師

  • 齋藤 真 氏
    芝浦工業大学 電気工学科
    講師
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会場

東京流通センター

2F 第3会議室

東京都 大田区 平和島6-1-1
東京流通センターの地図
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主催

サイエンス＆テクノロジー 株式会社
お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 42,667円 (税別) / 44,800円 (税込)
複数名
: 35,667円 (税別) / 37,450円 (税込)

複数名同時受講の割引特典について

  • 2名で参加の場合、1名につき 7,350円割引
  • 3名で参加の場合、1名につき 10,500円割引 (同一法人に限ります)
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