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SiC基板のエッチング技術と平滑化

SiC基板のエッチング技術と平滑化

～SiCデバイス高性能化に向けた～
東京都 開催 会場 開催
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概要

本セミナーでは、SiCデバイスの高性能化に向けたエッチング、鏡面研磨技術について解説いたします。

開催日

  • 2012年5月31日(木) 12時30分 ～ 16時30分

受講対象者

  • SiC基板のエッチング、研磨、平滑化に関連する技術者
    • 半導体産業関連
    • 電子産業関連
    • フッ化物製造業関連
    • 産業用ガス製造業関連

修得知識

  • 三フッ化窒素の物性
  • 三フッ化窒素の安全性
  • SiC基板のエッチング
  • SiC基板の平滑化 など

プログラム

　最近、SiCが安定的に大口径化・量産化出来てきたことにより、次の加工プロセスが注目されている。
　本講演では、NF3ガスおよびNF3/O2混合ガスプラズマ中でのSiC表面の平滑化機構を解明し、ガス圧を低くして平滑化の妨げになるスパイクの生成を抑制し、また、ピラー生成を抑制すべく、NF3/Ar混合ガスプラズマを用いてSiC表面の平滑化に及ぼすArの効果について詳述する。
　さらに、使用するNF3ガスの基本特性に言及し、使用時の安全対策についても述べる。

  1. 三フッ化窒素の基本特性と安全性
    1. 三フッ化窒素の物性
    2. フッ素および三フッ化窒素の安全性
  2. NF3ガスおよびNF3/O2混合ガスプラズマによる単結晶SiCのエッチング
    1. 表面の前処理およびSiCの結晶性の影響
    2. RF出力およびNF3ガス圧力の影響
  3. プラズマエッチングによるSiC表面の平滑化機構
    1. 熱天秤法によるNF3とSiCの反応速度測定および反応生成物
    2. NF3ガスおよびNF3/O2混合ガスプラズマによるSiC表面の平滑化機構
    3. スパイクおよびピラー生成機構
  4. NF3ガスおよびNF3/Ar混合ガスプラズマによる単結晶SiCのエッチング
    1. As-cut SiC のプラズマエッチング
    2. Epi SiC表面のプラズマエッチング
    3. C-面鏡面研磨SiC表面のプラズマエッチング
    4. As cut, Epi, C面鏡面研磨SiCおよびSi面鏡面研磨SiCの平滑化に及ぼすAr 添加の効果
    • 質疑応答・名刺交換・個別相談
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会場

タイム24ビル

4F 研修室

東京都 江東区 青海2丁目4-32
タイム24ビルの地図
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主催

株式会社 R&D支援センター
お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 47,600円 (税別) / 49,980円 (税込)

割引特典について

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    • 1名でお申込みいただいた場合、1名につき47,250円 (税込)
    • 2名同時にお申し込みいただいた場合、2名で49,980円 (税込)
    • 案内登録をされない方は、1名につき49,980円 (税込)
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