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SiC基板のエッチング技術と平滑化
SiC基板のエッチング技術と平滑化
～SiCデバイス高性能化に向けた～
東京都 開催
会場 開催
本セミナーは終了いたしました。
概要
本セミナーでは、SiCデバイスの高性能化に向けたエッチング、鏡面研磨技術について解説いたします。
開催日
- 2012年5月31日(木) 12時30分 ～ 16時30分
受講対象者
- SiC基板のエッチング、研磨、平滑化に関連する技術者
- 半導体産業関連
- 電子産業関連
- フッ化物製造業関連
- 産業用ガス製造業関連
修得知識
- 三フッ化窒素の物性
- 三フッ化窒素の安全性
- SiC基板のエッチング
- SiC基板の平滑化 など
プログラム
最近、SiCが安定的に大口径化・量産化出来てきたことにより、次の加工プロセスが注目されている。
本講演では、NF3ガスおよびNF3/O2混合ガスプラズマ中でのSiC表面の平滑化機構を解明し、ガス圧を低くして平滑化の妨げになるスパイクの生成を抑制し、また、ピラー生成を抑制すべく、NF3/Ar混合ガスプラズマを用いてSiC表面の平滑化に及ぼすArの効果について詳述する。
さらに、使用するNF3ガスの基本特性に言及し、使用時の安全対策についても述べる。
- 三フッ化窒素の基本特性と安全性
- 三フッ化窒素の物性
- フッ素および三フッ化窒素の安全性
- NF3ガスおよびNF3/O2混合ガスプラズマによる単結晶SiCのエッチング
- 表面の前処理およびSiCの結晶性の影響
- RF出力およびNF3ガス圧力の影響
- プラズマエッチングによるSiC表面の平滑化機構
- 熱天秤法によるNF3とSiCの反応速度測定および反応生成物
- NF3ガスおよびNF3/O2混合ガスプラズマによるSiC表面の平滑化機構
- スパイクおよびピラー生成機構
- NF3ガスおよびNF3/Ar混合ガスプラズマによる単結晶SiCのエッチング
- As-cut SiC のプラズマエッチング
- Epi SiC表面のプラズマエッチング
- C-面鏡面研磨SiC表面のプラズマエッチング
- As cut, Epi, C面鏡面研磨SiCおよびSi面鏡面研磨SiCの平滑化に及ぼすAr 添加の効果
- 質疑応答・名刺交換・個別相談
会場
主催
お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。
受講料
1名様
:
47,600円 (税別) / 49,980円 (税込)
割引特典について
- R&D支援センターからの案内登録をご希望の方は、割引特典を受けられます。
- 1名でお申込みいただいた場合、1名につき47,250円 (税込)
- 2名同時にお申し込みいただいた場合、2名で49,980円 (税込)
- 案内登録をされない方は、1名につき49,980円 (税込)
本セミナーは終了いたしました。
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