今日の半導体デバイスの進展を支えてきた技術の一つに微細パターン形成技術がある。1985年代初めに数μmのオーダであった最小加工寸法は、現在数10 nmのレベルまで微細化され、30年で1/100にまで縮小された。すでにArF (193 nm) の波長を用いた光リソグラフィでは、高NA化は限界に達しており、レイリーの式におけるk1ファクターの縮小が可能となるダブル/マルチパターニングリソグラフィが光リソグラフィの延命化技術の本命となる。ダブル/マルチパターニング技術では、工程の複雑さ、寸法ばらつき、重ね合わせ、パターン分割などの様々な高精度化へ技術課題が存在する。
　本セミナーではこれらの課題解決に注目し、ダブル/マルチパターニング技術における基礎とプロセス材料の最適化について述べる。

1. 光リソグラフィーの技術トレンド
   1. パターン解像性 (k1=0.25解像限界)
   2. 微細化の延命化技術の概要
      • 多層
      • 位相シフト
      • 超解像
      • 液浸
      • ダブル/マルチパターニング
2. ダブル/マルチパターニング
   1. k1 < 0.25の実現 (多重露光との差)
   2. パターニングシステム
      1. リソ・エッチ・リソ・エッチ (LELE) 型
      2. スペーサ/サイドウォール型
      3. 簡易化プロセス (材料プロセス)
   3. 高精度化技術
      1. 寸法ばらつき抑制 (要因分析と設計基準)
      2. 重ね合わせ誤差低減 (評価と計測手法)
      3. パターン分割ルール (効果的なパターン設計)
      4. 光近接効果補正 (OPC) (パターン形状の高精度化)
      5. エッチング (スペーサ欠陥の低減)
      6. パターン欠陥撲滅 (歩留まり向上への取り組み)
3. 質疑応答・技術相談
   • 日頃のトラブル・研究開発の相談に対応します。