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ダイヤモンド半導体のセミナー・研修・出版物

ダイヤモンド半導体・パワーデバイスの最新動向

2024年7月5日(金) 13時00分16時30分
オンライン 開催

本セミナーでは、ダイヤモンドウェハ、半導体デバイス、その他のデバイス応用に関する研究開発の現状、課題、最新動向まで解説いたします。

Si・SiC・GaN・酸化ガリウム・ダイヤモンドパワーデバイス技術ロードマップと業界展望

2024年2月7日(水) 10時30分16時30分
オンライン 開催

本セミナーでは、パワーデバイス技術の基礎・周辺材料技術と、SiCパワーデバイス、GaNパワーデバイス、酸化ガリウムパワーデバイス、ダイヤモンドパワーデバイスの実際・最新動向について詳解いたします。

EVシフトに伴うパワーデバイスの最新開発状況と今後の動向、課題

2024年1月17日(水) 10時30分16時30分
オンライン 開催

本セミナーでは、シリコンIGBT、SiC/GaN、酸化ガリウムパワーデバイス開発技術の現状と今後の動向について、半導体素子や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説いたします。

ダイヤモンド半導体の現状・課題・最新動向

2023年10月18日(水) 12時30分16時30分
オンライン 開催

本セミナーでは、ダイヤモンドウェハ、半導体デバイス、その他のデバイス応用に関する研究開発の現状、課題、最新動向まで解説いたします。

次世代パワーデバイスに向けたデバイス化技術と要素技術の展望

2023年9月12日(火) 10時30分16時10分
オンライン 開催

本セミナーでは、次世代パワーデバイスについて取り上げ、現在のパワーデバイスとの比較した際のメリット、開発状況、市場に普及するためのポイント、今後の開発動向について詳解いたします。

ダイヤモンド半導体デバイスの基礎知識とそのポテンシャル、今後の課題

2023年5月30日(火) 13時00分16時30分
オンライン 開催

本セミナーでは、次世代パワー半導体として注目を集める「ダイヤモンド半導体」を取り上げ、 ダイヤモンド半導体の原理や物性などの基礎から、大口径ウエハの成長技術、特性を引き出すデバイス作製まで最新の研究成果を報告いたします。

ダイヤモンド半導体デバイスの作製技術と高性能化

2023年1月16日(月) 13時00分16時30分
オンライン 開催

本セミナーでは、次世代パワー半導体として注目を集める「ダイヤモンド半導体」を取り上げ、 ダイヤモンド半導体の原理や物性などの基礎から、大口径ウエハの成長技術、特性を引き出すデバイス作製まで最新の研究成果を報告いたします。

ダイヤモンド半導体の現状・課題・最新動向

2022年10月19日(水) 12時30分16時30分
オンライン 開催

本セミナーでは、ダイヤモンドウェハ、半導体デバイス、その他のデバイス応用に関する研究開発の現状、課題、最新動向まで解説いたします。

ワイドギャップ半導体、パワーデバイスの開発動向

2022年9月15日(木) 10時30分16時10分
オンライン 開催

本セミナーでは、シリコンIGBT、ワイドギャップパワーデバイスの最新動向について解説いたします。

ダイヤモンド大口径ウエハとパワー半導体デバイスの研究開発の最近の進展

2021年11月18日(木) 13時00分16時00分
オンライン 開催

本セミナーでは、究極のパワー半導体として注目される「ダイヤモンド半導体」について取り上げ、ダイヤモンド半導体の原理や物性などの基礎から、ダイヤモンド半導体の課題、最新動向について、第一線で活躍される講師が解説いたします。

ダイヤモンドエレクトロニクスのポテンシャルと課題、展望

2021年9月27日(月) 13時00分16時30分
オンライン 開催

SiC、GaNを超える『究極の半導体材料』として挙げられるダイヤモンド。
ダイヤモンド半導体にはダイヤモンド半導体にしかない稀有な半導体特性も持っています。
本セミナーでは、ダイヤモンドエレクトロニクスについて、世界で初めて実現した反転層チャネルダイヤモンドMOSFETを開発した講師がその魅力・最新動向について解説いたします。

次世代パワーデバイスの開発動向と実用化に向けた課題

2021年6月30日(水) 10時30分16時15分
オンライン 開催

本セミナーでは、次世代パワーデバイスについて取り上げ、現在のパワーデバイスとの比較した際のメリット、開発状況、市場に普及するためのポイント、今後の開発動向について詳解いたします。

ダイヤモンド半導体の技術動向と可能性

2019年10月21日(月) 10時00分17時00分
東京都 開催 会場 開催

本セミナーでは、理論的に最も高耐圧かつ低オン抵抗を実現できる究極のパワーデバイス材料として注目されるダイヤモンド半導体について基礎から解説いたします。
ダイヤモンドパワーデバイスの研究開発状況・課題と、講師が世界で初めて実現した反転層ダイヤモンドMOSFETについて合わせて解説いたします。

ダイヤモンドエレクトロニクスの基礎と技術動向

2019年7月1日(月) 13時00分16時30分
東京都 開催 会場 開催

SiC、GaNを超える『究極の半導体材料』として挙げられるダイヤモンド。
ダイヤモンド半導体にはダイヤモンド半導体にしかない稀有な半導体特性も持っています。
本セミナーでは、ダイヤモンドエレクトロニクスについて、世界で初めて実現した反転層チャネルダイヤモンドMOSFETを開発した講師がその魅力・最新動向について解説いたします。

ダイヤモンド、酸化ガリウムの研究開発動向とデバイス応用への期待

2013年5月29日(水) 10時30分16時00分
東京都 開催 会場 開催

本セミナーでは、SiC、GaNを上回る性質を持つ酸化ガリウム、そしてダイヤモンド半導体材料について、研究の現状とパワーデバイス開発動向について解説いたします。

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