技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
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本セミナーでは、Cu/Low-k配線の基礎と、2nm世代以降で顕在化する抵抗増大・信頼性劣化の限界要因を整理したうえで、Ru/AG (Airgap) 配線や裏面電源配線 (BSPDN) など次世代配線技術の最新動向をわかりやすく解説いたします。
近年、生成AIをはじめとする高度な情報処理技術が急速に発展し、その計算基盤を担う先端半導体への期待と重要性はこれまでになく高まっている。とりわけ、演算性能向上の鍵を握る微細配線技術では、さらなる集積度向上が不可欠である一方、2nm世代以降では従来主流であったCu/Low-k配線の抵抗増大や信頼性劣化など、物理的限界が顕在化しつつある。この課題を克服するため、RuやCoといった新材料、Airgap構造、さらには裏面配線 (Backside Power Delivery Network) など、革新的な材料・構造・プロセスの研究開発が世界的に加速している。
本セミナーでは、まずCu/Low-k配線技術の基礎と現状の課題を整理したうえで、2nm世代以降を見据えた次世代配線技術の最新動向をわかりやすく解説する。
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| 開始日時 | 会場 | 開催方法 | |
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| 2026/6/12 | 半導体パッケージングの基礎、各製造プロセス技術 | オンライン | |
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| 発行年月 | |
|---|---|
| 1985/11/1 | アナログIC/LSIパターン設計 (Ⅱ) |