技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー

GaNウェハ・パワーデバイスの基礎と今後の展望

GaNウェハ・パワーデバイスの基礎と今後の展望

オンライン 開催
関連するセミナー・出版物
  • ライブ配信セミナーに申し込む

    • 概要

    本セミナーでは、GaNを用いたパワーデバイスの動向、課題、今後の展望についてGaNの結晶からデバイスまでの範囲で解説いたします。

    開催日

    • 2026年1月29日(木) 13時00分 ～ 16時30分

    受講対象者

    • GaN半導体、パワーデバイスに関連する技術者
      • 電気・エネルギー関連
      • 電力変換回路
      • 自動車
      • ハイブリッド車
      • 電気自動車
      • 電車
      • PC
      • 家電
      • エレベータ
      • インバーター
      • 無停電電源装置 など

    プログラム

    　GaNは半導体の中でも特に用途が多岐にわたる半導体である。発光デバイスや、高周波トランジスタは既に実用化され、なくてはならないものとして利用されている。また、大きなバンドギャップと絶縁破壊電界強度に由来するパワーエレクトロニクス用のデバイス材料としての適性も有しており、既に実用化されているSi、SiCに次ぐ世代の材料であるとされている。
    　本講演ではそんなGaNを用いたパワーデバイスの動向、課題、今後の展望についてGaNの結晶からデバイスまでの範囲で解説します。

    1. GaNについて
      1. GaNの特徴と利用
      2. パワーエレクトロニクス向きの半導体
      3. GaNで目指す社会
      4. GaNパワーデバイスができるまで
    2. GaN関係の動向 – GaNのプレーヤーと学会動向
      1. パワー半導体基板の動向
      2. パワー半導体の動向
      3. GaNのプレーヤー
      4. QST基板
      5. 学会の動向 発表内容別、国別
    3. GaNウェハ
      1. ホモエピ用基板とヘテロエピ用基板
        1. GaNデバイスに用いられる基板
        2. ヘテロエピのGaNデバイス層
        3. QST基板
        4. ホモエピのGaNデバイス層
      2. 様々なGaNの結晶成長方法とその特徴
        1. HVPE法について
        2. Na – flux法について
        3. Ammonothermal法について
        4. OVPE法について
      3. GaN基板のラインナップの現状
      4. GaN基板の加工
        1. GaN基板のスライス
        2. GaN基板のレーザスライス
        3. GaN基板の研磨
      5. 基板・結晶評価技術・結晶欠陥
        1. 転位とはGaNの場合
        2. 転位の影響Siの場合
        3. 転位の影響SiCの場合
        4. 転位の影響GaNの場合
        5. 転位の検出方法
        6. 多光子PL顕微鏡
        7. 複屈折顕微鏡
    4. GaNパワーデバイス作製プロセス
      1. GaN結晶と半導体プロセス
        1. デバイスプロセスに必要なこと
      2. デバイス層結晶成長方法
      3. イオン注入について
        1. 高温高圧アニールついて
        2. 拡散について
      4. ゲート絶縁膜について
      5. ドライエッチングとウェットエッチング
        1. GaNのエッチングについて
        2. PECエッチングについて
    5. GaNパワーデバイス
      1. デバイス設計と設計パラメータ
      2. GaNを用いた基本的なパワーデバイスの現状
        1. ノーマリオフ化手法
        2. HEMTの使用例
        3. HEMTのプロセス例
        4. HEMTについて
        5. pn接合に与える転位の影響
        6. 製品化していた唯一の縦型トランジスタ
      3. GaNならではの特徴を用いたパワーデバイスについて
        • PSJトランジスタ
    6. 今後の展望
    ページのトップヘ

    講師

    • 田中 敦之 氏
      名古屋大学 未来材料・システム研究所 附属未来エレクトロニクス集積研究センター 未来デバイス部
      特任准教授
    ページのトップヘ

    主催

    S&T出版 株式会社
    お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

    お問い合わせ

    本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
    (主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

    受講料

    1名様
    : 42,000円 (税別) / 46,200円 (税込)
    複数名
    : 21,000円 (税別) / 23,100円 (税込)

    案内割引・複数名同時申込割引について

    S&T出版からの案内をご希望の方は、割引特典を受けられます。
    また、4名様以上同時申込で全員案内登録をしていただいた場合、3名様受講料 + 3名様を超える人数 × 19,800円(税込)でご受講いただけます。

    • Eメール案内を希望する方
      • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 36,000円(税別) / 39,600円(税込)
      • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 42,000円(税別) / 46,200円(税込)
      • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 61,000円(税別) / 67,100円(税込)
      • 4名様でお申し込みの場合 : 4名で 79,000円(税別) / 86,900円(税込)
      • 5名様でお申し込みの場合 : 5名で 97,000円(税別) / 106,700円(税込)
    • Eメール案内を希望しない方
      • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 42,000円(税別) / 46,200円(税込)
      • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 84,000円(税別) / 92,400円(税込)
      • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 126,000円(税別) / 138,600円(税込)
      • 4名様でお申し込みの場合 : 4名で 168,000円(税別) / 184,800円(税込)
      • 5名様でお申し込みの場合 : 5名で 210,000円(税別) / 231,000円(税込)

    ライブ配信セミナーについて

    • 本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
    • お申し込み前に、 Zoomのシステム要件 と テストミーティングへの参加手順 をご確認いただき、 テストミーティング にて動作確認をお願いいたします。
    • 開催日前に、接続先URL、ミーティングID​、パスワードを別途ご連絡いたします。
    • セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
    • ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
    • タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
    • ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
    • 講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
    • Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
      万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。
  • ライブ配信セミナーに申し込む
    • ページのトップヘ

    これから開催される関連セミナー

    開始日時 会場 開催方法
    2025/10/14 電気自動車 (EV) 用パワーエレクトロニクスの最新動向と基礎 オンライン
    2025/10/14 次世代パワーデバイス開発の最前線 オンライン
    2025/10/15 電気自動車 (EV) 用パワーエレクトロニクスの最新動向と基礎 オンライン
    2025/10/15 半導体デバイスの物理的ウェット洗浄の基礎と最新情報の展開 オンライン
    2025/10/16 半導体パッケージ技術の基礎講座 オンライン
    2025/10/16 「パワー半導体」市場の最新動向と方向性 東京都 会場・オンライン
    2025/10/17 パワーデバイスSiC結晶欠陥の基礎知識とその観察・評価技術 オンライン
    2025/10/20 半導体産業動向 2025 オンライン
    2025/10/21 先端パッケージングの全体像 (開発動向&ビジネス化戦略) およびRDLインターポーザ最新技術動向 会場・オンライン
    2025/10/22 ダイヤモンド半導体の最前線と高性能パワーデバイスの開発・評価法 オンライン
    2025/10/22 半導体産業動向 2025 オンライン
    2025/10/23 半導体・論理回路テストの基礎と応用 オンライン
    2025/10/23 半導体技術の全体像 オンライン
    2025/10/23 ダイヤモンド半導体の最前線と高性能パワーデバイスの開発・評価法 オンライン
    2025/10/24 CMP後洗浄技術の開発動向と洗浄後評価技術 オンライン
    2025/10/24 半導体・論理回路テストの基礎と応用 オンライン
    2025/10/24 半導体技術の全体像 オンライン
    2025/10/24 酸化物半導体の基礎と三次元集積デバイス応用に向けた研究開発動向 オンライン
    2025/10/27 半導体デバイスにおける洗浄技術の最新動向と今後の展望 オンライン
    2025/10/27 半導体製造のCMP技術・CMP後洗浄の基礎と最新技術および今後の課題・展望 オンライン
    ページのトップヘ

    関連する出版物

    発行年月
    2020/7/17 2020年版 電子部品・デバイス市場の実態と将来展望
    2019/7/19 2019年版 電子部品・デバイス市場の実態と将来展望
    2018/11/30 EV・HEV向け電子部品、電装品開発とその最新事例
    2018/3/20 レジスト材料・プロセスの使い方ノウハウとトラブル解決
    2018/1/10 SiC/GaNパワーエレクトロニクス普及のポイント
    2016/9/30 電磁波吸収・シールド材料の設計、評価技術と最新ノイズ対策
    2015/6/30 導電性フィラー、導電助剤の分散性向上、評価、応用
    2014/10/31 炭化ケイ素半導体 技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版)
    2014/10/31 炭化ケイ素半導体 技術開発実態分析調査報告書
    2013/12/15 パワー半導体 技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版)
    2013/12/15 パワー半導体 技術開発実態分析調査報告書
    2013/10/31 ディジタルコンバータの回路と制御設計の基礎
    2013/2/10 酸化物半導体 技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版)
    2013/2/10 酸化物半導体 技術開発実態分析調査報告書
    2012/10/30 SiCパワーデバイスの開発と最新動向
    2012/6/15 半導体・液晶パネル製造装置9社 技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版)
    2012/6/15 半導体・液晶パネル製造装置9社 技術開発実態分析調査報告書
    2012/4/25 GaNパワーデバイスの技術展開
    2012/4/15 Intel 【米国特許版】 技術開発実態分析調査報告書
    2011/11/15 半導体露光装置 技術開発実態分析調査報告書
    ページのトップヘ