第1部 SiC結晶の成長と欠陥制御技術

(2025年12月10日 10:30〜12:00)

　高性能かつ低電力損失を実現するSiCパワー半導体の実装が進み、カーボンニュートラル社会に必要とされるエレクトロニクス技術として今後も普及拡大が見込まれている。
　本セミナーでは高品質大口径化SiC単結晶の成長技術とその結晶欠陥の制御に焦点を当て、技術開発動向の紹介、技術課題、今後の展開などについて議論する。

1. SiC単結晶およびウェハの材料技術開発の動向
   1. パワー半導体用SiCウェハ開発の歴史
   2. 国内・外でのSiCウェハ開発動向
   3. SiCウェハ開発に対する今後の期待
2. SiC単結晶製造技術と欠陥制御
   1. SiC単結晶成長技術の特徴
   2. SiC単結晶に見られる欠陥とその抑制・制御技術の開発
   3. SiCの結晶多形 (ポリタイプ) の安定化
   4. 大口径化と欠陥制御
   5. SiC単結晶の伝導度制御と欠陥抑制
• 質疑応答

第2部 SiCウェハの欠陥評価技術

(2025年12月10日 13:00〜14:30)

　SiCパワーデバイスは、新幹線や電気自動車などにすでに導入されており、社会実装が始まっています。しかし、Siと異なりSiCウェハには多様な結晶欠陥が含まれ、生産性や信頼性に大きな影響を与えます。
　本講座では、SiCの結晶構造や欠陥の基礎から始め、欠陥がデバイス特性に与える影響、各種評価法 (X線・PL・偏光観察など) 、さらに欠陥制御技術 (溶液成長やプロトン注入) までを体系的に解説します。受講後には、SiC結晶欠陥の理解と評価・制御の最新知見を習得できることを目指します。

1. SiCパワーデバイスと結晶欠陥
2. SiCの結晶構造と多形
3. 結晶欠陥の基礎
4. 結晶欠陥の種類と分類
   • 点欠陥
   • 線欠陥
   • 面欠陥
   • 体積欠陥
5. SiC結晶欠陥の種類とデバイスへの影響
   • マイクロパイプ
   • 貫通転位
6. SiC結晶欠陥の種類とデバイスへの影響
   • 基底面転位
7. SiC結晶欠陥の種類とデバイスへの影響
   • 積層欠陥と通電劣化
8. 転位論の基礎
   • 刃状転位
   • らせん転位
   • 混合転位
9. 結晶欠陥評価法の概要
10. 各種結晶欠陥評価法
    • X線トポグラフィ法
11. 各種結晶欠陥評価法
    • KOHエッチング
12. 各種結晶欠陥評価法
    • フォトルミネッセンス法
13. 各種結晶欠陥評価法
    • 偏光観察法
14. マルチモーダル解析
    • 複数手法の組み合わせによる欠陥評価
15. 欠陥自動検出
    • 画像処理
    • AIの応用
16. SiC結晶の溶液成長による欠陥低減
17. 溶液成長における転位変換のメカニズム
18. 厚膜成長による高品質化と転位密度低減
19. プロトン注入による積層欠陥拡張の抑制
20. イオン注入によるデバイス劣化抑制
21. まとめと今後の展望
22. 質疑応答

第3部 レーザーラマン顕微鏡による半導体ウエハーの応力、欠陥の分析技術

(2025年12月10日 14:45〜16:15)

　レーザーラマン顕微鏡を用いた半導体ウエハーの分析について、基礎から応用まで詳しく解説します。ラマン分光分析は、少し前までは、非常に測定が難しく、かつ、時間がかかる分析だと思われていましたが、現在はどなたでも手軽に分析できる手法となりました。
　本講座では、分析の幅が広がるよう、最先端 半導体材料のラマンイメージングによる応力・欠陥分析事例や、測定のコツをお伝えします。

1. ラマン分光の基本
2. 半導体の応力・欠陥分析においてラマン分光でできること
   1. 組成評価
   2. 応力評価
   3. 結晶評価
   4. キャリア濃度評価
3. 半導体ウエハーのラマン分光分析の課題と技術動向
   1. 微小領域の分析技術
   2. 応力評価のポイント
   3. ウエハー全面 (広範囲) イメージング技術
4. 半導体ウエハーのラマンイメージング分析事例
   1. Siウエハーの分析
   2. SiCウエハーの複合分析
   3. GaNウエハーの複合分析
   4. ウエハー上の薄膜 (MoS2) ラマン、フォトルミネッセンス複合分析
5. 最新の技術動向とまとめ
• 質疑応答