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SiC半導体ウェハの欠陥制御と検出、評価技術

SiC半導体ウェハの欠陥制御と検出、評価技術

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概要

本セミナーでは、ウェハの高品質、大口径化への対応、溶液成長、プロトン注入技術について詳解いたします。

開催日

  • 2025年12月10日(水) 10時30分 ～ 16時30分

受講対象者

  • SiCウェハ材料とその開発動向、結晶欠陥制御に関心のある方
  • SiCウェハの結晶欠陥とその評価手法の理解を深めたい方
  • 半導体評価・分析技術者
  • 半導体プロセス技術者

修得知識

  • 半導体用SiC単結晶の基礎知識
  • SiC結晶成長技術の開発動向と技術課題
  • SiCウェハ産業の動向に関する情報
  • SiC結晶欠陥に関する基礎的な知識
  • 欠陥評価の各種手法
    • X線トポグラフィ
    • PL法
    • 偏光顕微鏡法など
  • 欠陥がデバイス特性に与える影響とその制御技術
  • ラマン分光分析の基礎
  • 半導体の応力・欠陥分析技術

プログラム

第1部 SiC結晶の成長と欠陥制御技術

(2025年12月10日 10:30〜12:00)

　高性能かつ低電力損失を実現するSiCパワー半導体の実装が進み、カーボンニュートラル社会に必要とされるエレクトロニクス技術として今後も普及拡大が見込まれている。
　本セミナーでは高品質大口径化SiC単結晶の成長技術とその結晶欠陥の制御に焦点を当て、技術開発動向の紹介、技術課題、今後の展開などについて議論する。

  1. SiC単結晶およびウェハの材料技術開発の動向
    1. パワー半導体用SiCウェハ開発の歴史
    2. 国内・外でのSiCウェハ開発動向
    3. SiCウェハ開発に対する今後の期待
  2. SiC単結晶製造技術と欠陥制御
    1. SiC単結晶成長技術の特徴
    2. SiC単結晶に見られる欠陥とその抑制・制御技術の開発
    3. SiCの結晶多形 (ポリタイプ) の安定化
    4. 大口径化と欠陥制御
    5. SiC単結晶の伝導度制御と欠陥抑制
    • 質疑応答

第2部 SiCウェハの欠陥評価技術

(2025年12月10日 13:00〜14:30)

　SiCパワーデバイスは、新幹線や電気自動車などにすでに導入されており、社会実装が始まっています。しかし、Siと異なりSiCウェハには多様な結晶欠陥が含まれ、生産性や信頼性に大きな影響を与えます。
　本講座では、SiCの結晶構造や欠陥の基礎から始め、欠陥がデバイス特性に与える影響、各種評価法 (X線・PL・偏光観察など) 、さらに欠陥制御技術 (溶液成長やプロトン注入) までを体系的に解説します。受講後には、SiC結晶欠陥の理解と評価・制御の最新知見を習得できることを目指します。

  1. SiCパワーデバイスと結晶欠陥
  2. SiCの結晶構造と多形
  3. 結晶欠陥の基礎
  4. 結晶欠陥の種類と分類
    • 点欠陥
    • 線欠陥
    • 面欠陥
    • 体積欠陥
  5. SiC結晶欠陥の種類とデバイスへの影響
    • マイクロパイプ
    • 貫通転位
  6. SiC結晶欠陥の種類とデバイスへの影響
    • 基底面転位
  7. SiC結晶欠陥の種類とデバイスへの影響
    • 積層欠陥と通電劣化
  8. 転位論の基礎
    • 刃状転位
    • らせん転位
    • 混合転位
  9. 結晶欠陥評価法の概要
  10. 各種結晶欠陥評価法
    • X線トポグラフィ法
  11. 各種結晶欠陥評価法
    • KOHエッチング
  12. 各種結晶欠陥評価法
    • フォトルミネッセンス法
  13. 各種結晶欠陥評価法
    • 偏光観察法
  14. マルチモーダル解析
    • 複数手法の組み合わせによる欠陥評価
  15. 欠陥自動検出
    • 画像処理
    • AIの応用
  16. SiC結晶の溶液成長による欠陥低減
  17. 溶液成長における転位変換のメカニズム
  18. 厚膜成長による高品質化と転位密度低減
  19. プロトン注入による積層欠陥拡張の抑制
  20. イオン注入によるデバイス劣化抑制
  21. まとめと今後の展望
  22. 質疑応答

第3部 レーザーラマン顕微鏡による半導体ウエハーの応力、欠陥の分析技術

(2025年12月10日 14:45〜16:15)

　レーザーラマン顕微鏡を用いた半導体ウエハーの分析について、基礎から応用まで詳しく解説します。ラマン分光分析は、少し前までは、非常に測定が難しく、かつ、時間がかかる分析だと思われていましたが、現在はどなたでも手軽に分析できる手法となりました。
　本講座では、分析の幅が広がるよう、最先端 半導体材料のラマンイメージングによる応力・欠陥分析事例や、測定のコツをお伝えします。

  1. ラマン分光の基本
  2. 半導体の応力・欠陥分析においてラマン分光でできること
    1. 組成評価
    2. 応力評価
    3. 結晶評価
    4. キャリア濃度評価
  3. 半導体ウエハーのラマン分光分析の課題と技術動向
    1. 微小領域の分析技術
    2. 応力評価のポイント
    3. ウエハー全面 (広範囲) イメージング技術
  4. 半導体ウエハーのラマンイメージング分析事例
    1. Siウエハーの分析
    2. SiCウエハーの複合分析
    3. GaNウエハーの複合分析
    4. ウエハー上の薄膜 (MoS2) ラマン、フォトルミネッセンス複合分析
  5. 最新の技術動向とまとめ
    • 質疑応答
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講師

  • 加藤 智久 氏
    国立研究開発法人 産業技術総合研究所 つくば西事業所 エネルギー・環境領域 先進パワーエレクトロニクス研究センター ウェハプロセスチーム
    研究チーム長
  • 原田 俊太 氏
    名古屋大学 未来材料・システム研究所 附属未来エレクトロニクス集積研究センター 未来デバイス部
    准教授
  • 足立 真理子 氏
    ナノフォトン株式会社 セールス&アプリケーションズ
    シニアエンジニア
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主催

株式会社 技術情報協会
お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 55,000円 (税別) / 60,500円 (税込)
複数名
: 50,000円 (税別) / 55,000円 (税込)

複数名同時受講割引について

  • 2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 50,000円(税別) / 55,000円(税込) で受講いただけます。
  • 5名様以降は、1名あたり 30,000円(税別) / 33,000円(税込) で受講いただけます。
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 55,000円(税別) / 60,500円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 100,000円(税別) / 110,000円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 150,000円(税別) / 165,000円(税込)
    • 4名様でお申し込みの場合 : 4名で 200,000円(税別) / 220,000円(税込)
    • 5名様でお申し込みの場合 : 5名で 230,000円(税別) / 253,000円(税込)
  • 同一法人内による複数名同時申込みのみ適用いたします。
  • 請求書は、代表者にご送付いたします。
  • 他の割引は併用できません。

アカデミック割引

  • 1名様あたり 30,000円(税別) / 33,000円(税込)

日本国内に所在しており、以下に該当する方は、アカデミック割引が適用いただけます。

  • 学校教育法にて規定された国、地方公共団体、および学校法人格を有する大学、大学院、短期大学、附属病院、高等専門学校および各種学校の教員、生徒
  • 病院などの医療機関・医療関連機関に勤務する医療従事者
  • 文部科学省、経済産業省が設置した独立行政法人に勤務する研究者。理化学研究所、産業技術総合研究所など
  • 公設試験研究機関。地方公共団体に置かれる試験所、研究センター、技術センターなどの機関で、試験研究および企業支援に関する業務に従事する方
  • 支払名義が企業の場合は対象外とさせていただきます。
  • 企業に属し、大学、公的機関に派遣または出向されている方は対象外とさせていただきます。

ライブ配信セミナーについて

  • 本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
  • お申し込み前に、 Zoomのシステム要件 と テストミーティングへの参加手順 をご確認いただき、 テストミーティング にて動作確認をお願いいたします。
  • 開催日前に、接続先URL、ミーティングID​、パスワードを別途ご連絡いたします。
  • セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
  • セミナー資料は郵送にて前日までにお送りいたします。
  • 開催まで4営業日を過ぎたお申込みの場合、セミナー資料の到着が、開講日に間に合わない可能性がありますこと、ご了承下さい。
    ライブ配信の画面上でスライド資料は表示されますので、セミナー視聴には差し支えございません。
    印刷物は後日お手元に届くことになります。
  • ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
  • タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
  • ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
  • 講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
  • Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
    万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。
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